【技术实现步骤摘要】
一种SOI横向恒流二极管
本技术属于半导体功率器件
，具体涉及一种SOI横向恒流二极管。
技术介绍
恒流源作为稳定电源的一个分支，在近年来得到了迅速的发展。构成恒流源的核心器件已经由早期的电真空结构的镇流管跨入到半导体集成电路阶段。恒流源的应用已从传统的稳定电磁场、校准电流表等扩展到传感技术等新兴科技领域。由于LED行业的影响和对恒流源的需求应用领域的高性能电压稳定的电源和设备限流保护，研究高性能、低成本的恒流驱动技术已成为行业竞争的焦点。恒流二极管(CRD，CurrentRegulativeDiode)是一种半导体恒流器件，其用两端结型场效应管作为恒流源代替普通的由晶体管、稳压管和电阻等多个元件组成的恒流源，可以在一定的工作范围内保持一个恒定的电流值，其正向工作时为恒流输出，输出电流在几毫安到几十毫安之间，可直接驱动负载，实现了电路结构简单、器件体积小、器件可靠性高等目的。另外恒流器件的外围电路非常简单，使用方便，经济可靠，已广泛应用于自动控制、仪表仪器、保护电路等领域。然而，目前的恒流器件在集成系统中，存在衬底漏电...
【技术保护点】
1.一种SOI横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，其特征在于，所述元胞包括衬底(0)、埋氧层(1)、第一导电类型轻掺杂硅(2)、第二导电类型扩散阱区(3)、第一导电类型沟道注入区(4)、第二导电类型重掺杂区(5)、第一重掺杂区(6)、第二重掺杂区(7)、氧化介质层(8)、金属阳极(9)和金属阴极(10)，所述第一重掺杂区(6)和所述第二重掺杂区(7)均为第一导电类型；/n所述埋氧层(1)位于衬底(0)上，所述第一导电类型轻掺杂硅(2)位于埋氧层(1)上；/n所述第二导电类型扩散阱区(3)和第二重掺杂区(7)间隔的位于第一导电类型轻掺杂硅(2)中，所述第二导电类...
【技术特征摘要】
1.一种SOI横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，其特征在于，所述元胞包括衬底(0)、埋氧层(1)、第一导电类型轻掺杂硅(2)、第二导电类型扩散阱区(3)、第一导电类型沟道注入区(4)、第二导电类型重掺杂区(5)、第一重掺杂区(6)、第二重掺杂区(7)、氧化介质层(8)、金属阳极(9)和金属阴极(10)，所述第一重掺杂区(6)和所述第二重掺杂区(7)均为第一导电类型；
所述埋氧层(1)位于衬底(0)上，所述第一导电类型轻掺杂硅(2)位于埋氧层(1)上；
所述第二导电类型扩散阱区(3)和第二重掺杂区(7)间隔的位于第一导电类型轻掺杂硅(2)中，所述第二导电类型重掺杂区(5)和第一重掺杂区(6)侧面相互接触的位于第二导电类型扩散阱区(3)内；
所述第一导电类型沟道注入区(4)位于第一重掺杂区(6)和第一导电类型轻掺杂硅(2)之间的所述第二导电类型扩散阱区(3)的上层；
所述第二导电类型重掺杂区(5)和第一重掺杂区(6)与金属阴极(10)欧姆接触，所述第二重掺杂区(7)与金属阳极(9)欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的一种SOI横向恒流二极管，其特征在于，所述金属阳极(9)和所述金属阴极(10)沿氧化介质层(8)上表面延伸形成场板。
3.根据权利要求1所述的一种SOI横向恒流二极管，其特征在于，所述第二导电类型重掺杂区(5)的掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，何林蓉，邓琪，
申请(专利权)人：成都矽能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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