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本实用新型提供了一种SOI横向恒流二极管，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底、埋氧层、第一导电类型轻掺杂硅、第二导电类型扩散阱区、第一导电类型沟道注入区、第二导电类型重掺杂区、第...
该专利属于成都矽能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都矽能科技有限公司授权不得商用。

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