阵列基板及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板、金属氧化物半导体图形、像素电极、源极、漏极、栅极绝缘层以及栅极，金属氧化物半导体图形、像素电极以及源极和漏极均设置在衬底基板上，源极和漏极的至少部分结构设置在金属氧化物半导体上，漏极与像素电极电连接，且像素电极和源极、漏极在同一次光刻工艺中形成，栅极绝缘层覆盖在设有金属氧化物半导体图案、像素电极、源极、漏极的衬底基板之上，栅极设置在栅极绝缘层之上。本实用新型专利技术能够减少光刻工艺过程的次数，工艺简单，制作成本低。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板
本技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹设在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。现有技术提供的阵列基板的制造方法包括五次光刻工艺过程，以薄膜晶体管为顶栅结构的阵列基板为例来进行说明，包括：第一步：在衬底基板上沉积金属氧化物半导体层，进行第一次光刻，形成金属氧化物半导体图形；第二步，依次沉积源、漏金属层，进行第二次光刻，以形成源、漏极以及源漏极之间的沟道；第三步，依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行第三次光刻，以形成栅极；第四步，沉积钝化层和平坦化层，并进行第四次光刻，以形成导电过孔；第五步，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、金属氧化物半导体图形、像素电极、源极、漏极、栅极绝缘层以及栅极，所述金属氧化物半导体图形、所述像素电极以及所述源极和漏极均设置在所述衬底基板上，所述源极和漏极的至少部分结构设置在所述金属氧化物半导体上，所述漏极与所述像素电极电连接，且所述像素电极和所述源极、漏极在同一次光刻工艺中形成，所述栅极绝缘层覆盖在设有所述金属氧化物半导体图案、所述像素电极、所述源极、所述漏极的衬底基板之上，所述栅极设置在所述栅极绝缘层之上。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、金属氧化物半导体图形、像素电极、源极、漏极、栅极绝缘层以及栅极，所述金属氧化物半导体图形、所述像素电极以及所述源极和漏极均设置在所述衬底基板上，所述源极和漏极的至少部分结构设置在所述金属氧化物半导体上，所述漏极与所述像素电极电连接，且所述像素电极和所述源极、漏极在同一次光刻工艺中形成，所述栅极绝缘层覆盖在设有所述金属氧化物半导体图案、所述像素电极、所述源极、所述漏极的衬底基板之上，所述栅极设置在所述栅极绝缘层之上。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极的至少部分结构覆盖在所述像素电极上，以使所述漏极与所述像素电极电连接。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括彼此绝缘的源极缓冲层和漏极缓冲层，所述源极缓冲层和所述漏极缓冲层覆盖部分所述衬底基板且覆盖部分所述金属氧化物半导体图形，且所述源极缓冲层和所述漏极缓冲层在所述金属氧化物半导体图形上方的部分之间间隔开以形成沟道区域，所述源极和漏极分别设置在所述源极缓冲层和所述漏极缓冲层之上。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，孙学军，李广圣，马群，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51