阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括衬底基板、TFT阵列层以及设置于TFT阵列层和衬底基板上的第一钝化层，衬底基板包括显示区和围绕显示区设置的非显示区，其中，位于显示区的第一钝化层覆盖TFT阵列层，位于非显示区的第一钝化层覆盖衬底基板；通过采用有机绝缘膜作为第一钝化层，并使位于非显示区的第一钝化层经过减薄处理，以使位于非显示区的第一钝化层的膜厚小于位于显示区的第一钝化层的膜厚，从而改善了显示面板抗ESD的能力，并降低了显示区的寄生电容，使得显示品质得到改善。

Array substrate and its preparation

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示面板
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
随着电子技术的飞速发展，显示面板尺寸及解析度不断增加，则导线的线宽及间距变得越来越小，导致显示器件对静电越来越敏感，其稳定性会受到影响，严重时会发生静电释放(Electro-StaticDischarge，ESD)，最终导致绝缘膜的击穿和显示器件的失效。目前，显示面板行业常使用SiNx、SiOx等具有较高膜面致密度及介电系数的无机材料作为介电层或保护层，受限于成膜效率和成本，无机绝缘膜膜厚通常设计在1000A-6000A之间；但较高的介电常数及较低的使用膜厚会随之产生较大的寄生电容，从而导致显示器件出现充电率不足、电阻电容负载过大以及错充率增大等不良问题的产生，严重影响显示面板的品质，故业界使用有机绝缘膜PFA(PolymerFilmonArray)替代传统的无机绝缘膜，由于有机绝缘膜与无机绝缘膜相比具有介电系数低、成膜工艺简单且膜厚较厚等特点，由于介电常数越低且膜厚越大，则寄生电容越低，因此有机绝缘膜相比于无机绝缘膜可有效减小寄生电容从而改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板，包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区；/nTFT阵列层，设置于所述衬底基板上，且所述TFT阵列层位于所述显示区内；以及/n第一钝化层，设置于所述TFT阵列层和所述衬底基板上，位于所述显示区的所述第一钝化层覆盖所述TFT阵列层，位于所述非显示区的所述第一钝化层覆盖所述衬底基板；/n其中，所述第一钝化层为有机绝缘膜层，所述非显示区的所述第一钝化层的膜厚小于位于所述显示区的所述第一钝化层的膜厚。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区；
TFT阵列层，设置于所述衬底基板上，且所述TFT阵列层位于所述显示区内；以及
第一钝化层，设置于所述TFT阵列层和所述衬底基板上，位于所述显示区的所述第一钝化层覆盖所述TFT阵列层，位于所述非显示区的所述第一钝化层覆盖所述衬底基板；
其中，所述第一钝化层为有机绝缘膜层，所述非显示区的所述第一钝化层的膜厚小于位于所述显示区的所述第一钝化层的膜厚。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述非显示区的所述第一钝化层的膜厚为位于所述显示区的所述第一钝化层的膜厚的80％～95％。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的材料为PFA。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为COA阵列基板，所述阵列基板还包括：
色阻层，位于所述TFT阵列层和所述第一钝化层之间；以及
第二钝化层，位于所述TFT阵列层和所述色阻层之间，其中，所述色阻层位于所述第二钝化层上。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT层包括设置于所述衬底基板上的栅极、设置于所述栅极和所述衬底基板上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的半导体层以及设置于所述半导体层、所述栅极绝缘层上的源极和漏极。


6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S10：在衬底基板上制备TFT阵列层以形成阵列基板，所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国和，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44