一种TFT基板的制作方法和TFT基板技术

本申请公开了一种TFT基板制作方法和TFT基板，制作方法包括以下步骤：依次形成栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成与所述栅极对应的有源层，并围绕所述有源层设置绝缘阻挡层；所述有源层包括依次形成的第一未掺杂多晶硅层和第一P型掺杂多晶硅层；在所述栅极绝缘层、所述绝缘阻挡层和所述第一P型掺杂多晶硅层上形成源漏电极。本申请中的绝缘阻挡层可以阻挡源漏电极与第一未掺杂多晶硅层接触，避免漏电发生，增强了TFT基板中的TFT器件的稳定性，提升其电学性能。

A TFT substrate manufacturing method and TFT substrate

【技术实现步骤摘要】
一种TFT基板的制作方法和TFT基板
本申请涉及显示面板
，尤其涉及一种TFT基板的制作方法和TFT基板。
技术介绍
随着平板显示的发展，高分辨率，低能耗的面板需求不断被提出。低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)由于具有较高的电子迁移率、亚阈值摆幅好、开关态电流比大且耗电低而在液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)与有机发光二极管显示器(OrganicLightEmittingDiode，OLED)技术中得到了广泛的关注。传统的LTPS制作采用ELA(准分子镭射退火结晶)来结晶，机台昂贵，制作成本高，而且在ELA结晶时由于均一性不好，容易产生ELA扫描mura，无法制作大尺寸显示面板；而SPC(solidphasecrystallization)固相结晶由于成本低且结晶均一性好，且在结晶前植入一定剂量的硼(Boron)离子可以大幅度降低结晶需要的温度和时间，这种新型的SPC结晶又开始引起业界的关注。对于BottomGate-SPC-LTPS，传统的制作方法是利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n依次形成栅极和栅极绝缘层；/n在所述栅极绝缘层上形成与所述栅极对应的有源层，并围绕所述有源层设置绝缘阻挡层；所述有源层包括依次形成的第一未掺杂多晶硅层和第一P型掺杂多晶硅层；/n在所述栅极绝缘层、所述绝缘阻挡层和所述第一P型掺杂多晶硅层上形成源漏电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
依次形成栅极和栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成与所述栅极对应的有源层，并围绕所述有源层设置绝缘阻挡层；所述有源层包括依次形成的第一未掺杂多晶硅层和第一P型掺杂多晶硅层；
在所述栅极绝缘层、所述绝缘阻挡层和所述第一P型掺杂多晶硅层上形成源漏电极。


2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述围绕所述有源层设置绝缘阻挡层，包括以下步骤：
将所述第一未掺杂多晶硅层的侧壁上的多晶硅转化为硅氧化合物，以形成围绕所述有源层中的第一未掺杂多晶硅层的所述绝缘阻挡层。


3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述围绕所述有源层设置绝缘阻挡层，包括以下步骤：
将所述第一未掺杂多晶硅层的侧壁和所述第一P型掺杂多晶硅层的侧壁上的多晶硅转化为硅氧化合物，以形成围绕所述有源层中的第一未掺杂多晶硅层和第一P型掺杂多晶硅层的绝缘阻挡层。


4.如权利要求3所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述围绕所述有源层设置绝缘阻挡层，包括以下步骤；
采用氧气等离子体对所述第一P型掺杂多晶硅层的侧壁以及所述第一未掺杂多晶硅层的侧壁进行等离子化处理，使所述第一P型掺杂多晶硅层的侧壁以及所述第一未掺杂多晶硅层的侧壁上的多晶硅转化为硅氧化合物，形成围绕所述第一未掺杂多晶硅层和所述第一P型掺杂多晶硅层设置绝缘阻挡层。


5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上形成与所述栅极对应的有源层，并围绕所述有源层设置绝缘阻挡层，包括以下步骤：
在所述栅极绝缘层上依次形成第二未掺杂多晶硅层和第二P型掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡泉，李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42