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本揭示公开一种阵列基板的制造方法，其藉由(1)在一光刻制程中，以一光阻图案作为掩膜，形成LTPS薄膜晶体管的第一栅极前体与氧化物薄膜晶体管的第二栅极前体，(2)以所述光阻图案作为掩膜进行离子重掺杂，使多晶硅层的两相对侧形成离子重掺杂区，(3...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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