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本发明公开了一种TFT基板的离子注入方法,步骤如下:将掩膜板与TFT基板进行对位,使所述掩膜板上的开口区与所述TFT基板的待掺杂区对齐,所述掩膜板上的非开口区与所述TFT基板的非掺杂区对齐;发射离子束,使所述离子束透过所述掩膜板的开口区对所...该专利属于信利(仁寿)高端显示科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过信利(仁寿)高端显示科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种TFT基板的离子注入方法,步骤如下:将掩膜板与TFT基板进行对位,使所述掩膜板上的开口区与所述TFT基板的待掺杂区对齐,所述掩膜板上的非开口区与所述TFT基板的非掺杂区对齐;发射离子束,使所述离子束透过所述掩膜板的开口区对所...