阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述阵列基板包括：基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、第一电极、钝化层以及像素电极。本发明专利技术通过在栅极上形成一凸起，所述沟道并不对应整个栅极，而是对应所述凸起，所述凸起即为有效栅极，所述凸起的宽度小于所述栅极的长度，进而可以减小沟道的长度，沟道电阻进而减小，可以在显示电流不变的情况下减小薄膜晶体管的阈值电压，减小显示面板的功耗，同时也可以提高显示屏开口率，增加分辨率。在制备栅极与凸起的结构时，可以通过半色调掩膜板工艺一同制备，可以减小掩膜板的数量，减小成本；在制备有源层时，通过使用金属剥离工艺(lift‑off)可以减低生产成本。

Array substrate and its preparation method, display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管，当栅极施加正电压时，栅压在栅绝缘层中产生电场，电场线由栅电极指向半导体表面，并在表面处产生感应电荷；随着栅电压增加，半导体表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层。当达到强反型时(即达到开启电压时)，源漏极间加上电压就会有载流子通过沟道。当源漏电极电压很小时，导电沟道近似为一恒定电阻，漏电流随源漏电压增加而线性增大；当源漏电极电压很大时，它会对栅极电压产生影响，使得栅极绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱，半导体表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减小，沟道电阻随着源漏电压增大而增大，漏电流增加变得缓慢，对应线性区向饱和区过渡；当源漏电极电压增到一定程度，漏端反型层厚度减为零，电压继续增加，器件则进入饱和区。薄膜晶体管的阈值电压的大小决定了显示面板的功耗，根据薄膜晶体管栅极调控机制，通过改变器件的沟道长度实现对器件阈值电压的调控，与通常的晶体管阈值电压调控方法相比，具有工艺简单且阈值电压调控范围大的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n栅极，设于所述基板上，具有一凸起，所述凸起的宽度小于所述栅极的宽度；/n栅极绝缘层，设于所述基板、所述栅极以及所述凸起上；/n有源层，设于所述栅极绝缘层上，所述有源层包括第一堤坝以及第二堤坝，在所述第一堤坝以及所述第二堤坝之间形成一沟道；/n第一电极，设于所述有源层上；/n钝化层，设于所述第一电极、所述有源层、以及所述栅极绝缘层上；/n像素电极，设于所述钝化层上，所述像素电极连接所述有源层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
栅极，设于所述基板上，具有一凸起，所述凸起的宽度小于所述栅极的宽度；
栅极绝缘层，设于所述基板、所述栅极以及所述凸起上；
有源层，设于所述栅极绝缘层上，所述有源层包括第一堤坝以及第二堤坝，在所述第一堤坝以及所述第二堤坝之间形成一沟道；
第一电极，设于所述有源层上；
钝化层，设于所述第一电极、所述有源层、以及所述栅极绝缘层上；
像素电极，设于所述钝化层上，所述像素电极连接所述有源层。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述有源层的材料为金属氧化物；
所述金属氧化物包括：铟镓锌氧化物、氧化锌、铟镓锌氧化物、锌锌氧化物或铟镓锌锡氧化物。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述栅极的截面形状为“凸”字型；和/或，
所述凸起的上侧的形状包括线性、波形或弧形。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述钝化层具有一凹槽，所述凹槽下凹至所述第一堤坝表面，所述像素电极通过所述凹槽与所述有源层连接。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一电极为源级，设于所述第二堤坝上。


6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
沉积一第一金属膜于所述基板上，通过半色调掩膜板工艺图案化所述第一金属膜形成一栅极，所述栅极具有一凸起；
沉积一栅极绝缘层于所述基板、所述栅极以及所述凸起上；
形成一有源层于所述栅极绝缘层上，所述有源层包括第一堤坝以及第二堤坝，在所述第一堤坝以及所述第二堤坝之间形成一沟道；
沉积第二层金属膜并图案化所述第二层金属膜形成一第一电极，所述第一电极连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢华飞，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44