【技术实现步骤摘要】
一种准分子激光退火制程OED的自动校正方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种准分子激光退火制程OED的自动校正方法。
技术介绍
低温多晶硅（LowTemperaturePolySilicon，简称LTPS）薄膜由于其原子排列规则，载流子迁移率高（10-300cm2/Vs），应用于等电子元器件时，可使TFT具有更高的驱动电流，因此，在TFT的制作工艺中广泛采用LTPS薄膜作为TFT的核心结构之一的有源层的材料。目前，在现代TFT制造工艺中，多采用准分子激光退火（Excimerlaserannealing，ELA）的方法形成多晶硅有源层。其中，ELA法主要通过一定能量密度的准分子激光对非晶硅薄膜进行激光照射，利用激光光束的能量使非晶硅在高温下转变成LTPS。ELA形成的多晶硅TFT具有迁移率很高的优点。进行准分子激光退火制程时必须选用适当能量密度的准分子激光，否则会使基板表面的多晶硅结晶状态不佳。但由于所用激光能量密度的不适性和光束不同位置能量的不均匀性，且准分子激光的能量密度会随着使用时间而衰减，因此其能量密度不易控制...
【技术保护点】
1.一种准分子激光退火制程OED的自动校正方法，其特征在于，其包括如下步骤：/n利用准分子激光退火装置将基板表面的非晶硅转换成多晶硅；采用Mura的量化方法获取实时的所述基板的Mura值，并将所述Mura值上报给控制系统；/n所述控制系统将所述Mura值与预设的Mura值范围进行对比，若所述Mura值超出预设的Mura值范围，则控制系统控制所述准分子激光退火装置校正最佳能量密度，其中校正最佳能量密度的方法为：（1）提供表面具有一非晶硅层的基板，且该非晶硅层区分有多个区域；（2）进行准分子激光退火，并分别利用不同的能量密度的准分子激光照射各该区域；（3）采用Mura的量化方法...
【技术特征摘要】
1.一种准分子激光退火制程OED的自动校正方法，其特征在于，其包括如下步骤：
利用准分子激光退火装置将基板表面的非晶硅转换成多晶硅；采用Mura的量化方法获取实时的所述基板的Mura值，并将所述Mura值上报给控制系统；
所述控制系统将所述Mura值与预设的Mura值范围进行对比，若所述Mura值超出预设的Mura值范围，则控制系统控制所述准分子激光退火装置校正最佳能量密度，其中校正最佳能量密度的方法为：（1）提供表面具有一非晶硅层的基板，且该非晶硅层区分有多个区域；（2）进行准分子激光退火，并分别利用不同的能量密度的准分子激光照射各该区域；（3）采用Mura的量化方法量化各该区域的Mura值，且具有最小Mura值的区域所对应的准分子激光的能量密度即为最佳能量密度；（4）准分子激光退火装置利用步骤（3）所决定出的该最佳能量密度的准分子激光照射具有非晶硅层的产品基板。
2.如权利要求1所述的准分子激光退火制程OED的自动校正方法，其特征在于，所述Mura的量化方法包括如下步骤：
S1.在不同光强度下，分别采集准分子激光退火后同一基板相同区域的Mura图像；
S2.对所述Mura图像进行图像处理，确定Mura区域面积；
S3.绘制光强度与Mura区域面积的线性关系曲线；
S4.重复步骤S1-S3，在同一坐标系中绘制的各线性关系曲线均经过G点；
S5.在某一光强度下，获取待测基板的选定区域的Mura图像，经图像处理后获得其Mura区域面积；根据所述光强度和Mura区域面积在上述坐标系中绘制A点；
S6.连接所述G点和A点，获得直线，计算所述直线的斜率；
S7.采用所述斜率或斜率的倒数来进行所述选定区域Mura量化。
3.如权利要求2所述的准分子激光退火制程OED的自动校正方法，其特征在于，步骤S2中，通过图片处理软件对所述Mura图像进行图像处理，得到各像素的灰阶强度，将灰阶强度小于预设阈值的区域识别...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨曲，周波，马春华，林锦辉，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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