激光照射装置、投影掩模、激光照射方法及程序制造方法及图纸

技术编号:23564023 阅读:27 留言:0更新日期:2020-03-25 08:26
本发明专利技术的一实施方式的激光照射装置的特征在于,具备:光源,其产生激光;及投影透镜,其对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光,该投影透镜包括:第一投影透镜,其对于该规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域照射该激光;及第二投影透镜,其对于该规定的区域中的与栅极驱动器包含的规定的元件对应的第二区域照射该激光。

Laser irradiation device, projection mask, laser irradiation method and program

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光照射装置、投影掩模、激光照射方法及程序
本专利技术涉及薄膜晶体管的形成,特别是涉及向非晶硅薄膜照射激光而用于形成多晶硅薄膜的激光照射装置、投影掩模、激光照射方法及程序。
技术介绍
存在有如下的技术:在TFT面板的图像显示区域,通过利用激光将非晶硅薄膜的规定的区域瞬间地加热而进行多晶体化,形成电子迁移率高的多晶硅薄膜,从而将该多晶硅薄膜使用于薄膜晶体管的沟道区域。例如,专利文献1公开了如下情况:在玻璃基板上形成非晶硅薄膜,然后,对该非晶硅薄膜照射准分子激光器等的激光而进行激光退火,由此,进行通过短时间内的熔融凝固而晶体化为多晶硅薄膜的处理。专利文献1记载了通过进行该处理,能够使薄膜晶体管的源极与漏极之间的沟道区域成为电子迁移率高的多晶硅薄膜,从而能够实现晶体管动作的高速化的内容。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2016-100537号公报
技术实现思路
专利技术概要专利技术要解决的课题在此,在TFT面板中,作为对图像显示区域的薄膜晶体管进行驱动用的驱动电路,成为栅极驱动器。关于这一点,通过专利文献1记载的技术而制造的TFT面板需要在制作图像显示区域之后外置栅极驱动器,相应地成为该TFT面板的制造成本增加的原因。本专利技术的目的鉴于上述的问题点而作出,提供一种在TFT面板中不需要外置栅极驱动器,由此能够降低该TFT面板的制造成本的激光照射装置、投影掩模、激光照射方法及程序。用于解决课题的方案本专利技术的一实施方式的激光照射装置的特征在于,具备:光源,其产生激光;及投影透镜,其对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光,该投影透镜包括:第一投影透镜,其对于该规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域照射该激光;及第二投影透镜,其对于该规定的区域中的与栅极驱动器包含的规定的元件对应的第二区域照射该激光。在本专利技术的一实施方式的激光照射装置中,其特征在于,该第二投影透镜是对于多个该第二区域照射该激光的微柱面透镜。在本专利技术的一实施方式的激光照射装置中,其特征在于,该第二投影透镜使用该微柱面透镜包含的多个柱面透镜,对于多个该第二区域的各个该第二区域照射多次该激光。在本专利技术的一实施方式的激光照射装置中,其特征在于,该激光照射装置还具备投影掩模图案,该投影掩模图案配置在该投影透镜上并使该激光以规定的投影图案透过,该投影掩模图案包括与多个该第一区域对应的多个第一开口部、和与该第二区域对应的第二开口部。在本专利技术的一实施方式的激光照射装置中,其特征在于,该第一投影透镜是对于该基板包含的多个该第一区域照射该激光的微透镜阵列,该第二投影透镜向该第二区域照射的该激光的照射能量比该第一投影透镜向该第一区域照射的该激光的照射能量大。本专利技术的一实施方式的投影掩模是配置在照射从光源产生的激光的投影透镜上的投影掩模图案,其特征在于,包括:多个第一开口部,对于基板上被覆的非晶硅薄膜中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的多个第一区域,该多个第一开口部使来自该投影透镜包含的第一投影透镜的该激光透过;及第二开口部,对于该非晶硅薄膜中的与栅极驱动器包含的规定的元件对应的第二区域,该第二开口部使来自该投影透镜包含的第二投影透镜的该激光透过。在本专利技术的一实施方式的投影掩模中,其特征在于,该第二投影透镜是能够对于多个该第二区域照射该激光的微柱面透镜,相对于多个该第二区域,该第二开口部使来自该微柱面透镜的该激光透过。本专利技术的一实施方式的激光照射方法的特征在于,包括:产生激光的产生步骤;及对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光的照射步骤,在该照射步骤中,对于该规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域、和与栅极驱动器包含的规定的元件对应的第二区域照射该激光。在本专利技术的一实施方式的激光照射方法中,其特征在于,在该照射步骤中,使用微柱面透镜对于多个该第二区域的各个该第二区域照射该激光。本专利技术的一实施方式的程序的特征在于,使计算机执行:产生激光的产生功能;及对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光的照射功能,在该照射功能中,对于该规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域、和与栅极驱动器包含的规定的元件对应的第二区域照射该激光。在本专利技术的一实施方式的程序中,其特征在于,在该照射功能中,使用微柱面透镜对于多个该第二区域的各个该第二区域照射该激光。专利技术效果根据本专利技术,由于将栅极驱动器形成在基板上,因此在TFT面板中不需要外置栅极驱动器,能够提供可降低该TFT面板的制造成本的激光照射装置等。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的液晶显示系统1的构成例的图。图2是表示本专利技术的第一实施方式的激光照射装置10的构成例的图。图3是表示本专利技术的第一实施方式的投影透镜13的构成例的图。图4是表示本专利技术的第一实施方式的微柱面透镜17的构成例的图。图5是用于说明本专利技术的一实施方式的使用微柱面透镜对基板进行退火处理的情形的图。图6是本专利技术的一实施方式的投影掩模图案所包含的开口部的构成例。图7是表示本专利技术的第一实施方式的变形例的投影透镜及投影掩模图案的构成例的图。图8是表示本专利技术的第二实施方式的激光照射装置的构成例的图。具体实施方式以下,关于本专利技术的实施方式,参照附图进行具体说明。(第一实施方式)本专利技术的第一实施方式是在进行对基板的退火处理的激光照射装置中,在照射激光的投影透镜中,除了微透镜阵列之外还设置(包含)微柱面透镜,由此,在执行对于与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域的退火处理的同时,执行对于与栅极驱动器对应的第二区域的退火处理。图1是表示本专利技术的第一实施方式的液晶显示系统1的构成例的图。如图1例示那样,在本专利技术的第一实施方式中,液晶显示系统1包括TFT面板100、控制部200。需要说明的是,在TFT面板100设有背光源(未图示)。TFT面板100按照液晶的各像素来设置薄膜晶体管,按照该各像素被进行电压控制,来变化该像素中的光的透过量、透过的光的方向。如图1例示那样,TFT面板100包括:包含多个像素的液晶画面101;执行对于该多个像素的各个像素的电压控制的栅极驱动器102及源极驱动器103。液晶画面101包含分别具备薄膜晶体管20的多个像素。而且,栅极驱动器102是用于按照每一行(每一队列)对液晶画面101所包含的多个像素进行扫描(驱动)的电路。而且,源极驱动器103是用于向栅极驱动器102扫描过的一行(一队列)所包含的各像素赋予图像数据(与明暗等的信息对应的电压)的电路。这样,多个像素分别包含的薄膜晶体管20由栅极驱动器102和源极驱动器103进行电压控制,来变化该像素的各自的光的透过量、透过的光的方向。由此,TFT面板100能够按照各像素进行颜色变化,能够作为TFT面板100整体而显示规定的图像。如图1例示那样,控制部200包括定时控制器(TCON)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光照射装置,其特征在于,具备:/n光源,其产生激光;及/n投影透镜,其对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光,/n所述投影透镜包括:/n第一投影透镜,其对于所述规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域照射所述激光;及/n第二投影透镜,其对于所述规定的区域中的与栅极驱动器所包含的规定的元件对应的第二区域照射所述激光。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170810 JP 2017-1558701.一种激光照射装置,其特征在于,具备:
光源,其产生激光;及
投影透镜,其对于基板上被覆的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光,
所述投影透镜包括:
第一投影透镜,其对于所述规定的区域中的与薄膜晶体管的沟道区域对应的第一区域照射所述激光;及
第二投影透镜,其对于所述规定的区域中的与栅极驱动器所包含的规定的元件对应的第二区域照射所述激光。


2.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,
所述第二投影透镜是对于多个所述第二区域照射所述激光的微柱面透镜。


3.根据权利要求2所述的激光照射装置,其特征在于,
所述第二投影透镜使用所述微柱面透镜所包含的多个柱面透镜,对于多个所述第二区域的各个所述第二区域照射多次所述激光。


4.根据权利要求1~3中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述激光照射装置还具备投影掩模图案,所述投影掩模图案配置在所述投影透镜上并使所述激光以规定的投影图案透过,
所述投影掩模图案包括与多个所述第一区域对应的多个第一开口部、和与所述第二区域对应的第二开口部。


5.根据权利要求1~4中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述第一投影透镜是对于所述基板所包含的多个所述第一区域照射所述激光的微透镜阵列,
所述第二投影透镜向所述第二区域照射的所述激光的照射能量比所述第一投影透镜向所述第一区域照射的所述激光的照射能量大。


6.一种投影掩模,其配置在照射从光源产生的激光的投影透镜上,其特征在于,所述投影掩...

【专利技术属性】
技术研发人员:水村通伸
申请(专利权)人:株式会社V技术
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1