聚焦离子束装置制造方法及图纸

提供一种聚焦离子束装置，其具备差动排气装置和聚焦离子束柱状体，还具备：真空垫，其使吸入面露出以围绕被处理基板的面方向的外侧，且由多孔质材料构成；基板支承台，其载置所述被处理基板和所述真空垫；以及真空泵，其对所述真空垫进行真空吸引，当所述差动排气装置的头部向所述被处理基板的面方向的外侧移动时，所述吸入面进行该吸入面与所述头部之间的空间的吸气，所述聚焦离子束装置无需大的真空腔室，对被处理基板的周缘附近也能进行处理，能够增大被处理基板中的处理区域。够增大被处理基板中的处理区域。够增大被处理基板中的处理区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚焦离子束装置


[0001]本专利技术涉及具备差动排气装置的聚焦离子束装置。

技术介绍

[0002]近年来，提出有在离子束照射装置的前端部具备局部真空装置的扫描型电子显微镜(例如参照专利文献1)。在该扫描型电子显微镜中，能够通过局部真空装置在样品的表面局部地形成真空空间，因此无需真空腔室。在该扫描型电子显微镜中，在载置到支承构件上的样品与供离子束照射装置退避的退避构件之间的槽的底部，沿着该槽延伸的方向隔开规定的间隔地设置有排气口。在上述的扫描型电子显微镜中，在使配置于退避构件上的局部真空装置向支承在支承构件上的样品的上方移动时，能够实现形成在局部真空装置的正下方的真空区域的真空状态的维持。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019－179751号公报

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的问题
[0007]然而，在上述的扫描型电子显微镜中，局部真空装置需要退避构件的上表面的高度水平与样品的上表面的高度水平精度良好地一致。其理由是，若是上述退避构件的上表面的高度水平与上述样品的上表面的高度水平不同，则高度水平低的那一方与局部真空装置的下表面之间的间隙会变大，存在无法维持规定的真空状态的情况。
[0008]本专利技术鉴于上述的课题而作成，其目的在于，提供无需大的真空腔室就能够对被处理基板的周缘附近进行使用离子束的处理而能够扩大被处理基板中的处理区域的聚焦离子束装置。
[0009]用于解决课题的方案
>[0010]为了解决上述的课题并达成目的，本专利技术的方案涉及的聚焦离子束装置具备：差动排气装置，其具备与被处理基板的被处理面的任意区域对置的头部，在所述头部中的与所述被处理面对置的对置面上，以围绕所述头部的中心的方式形成有排气槽，在所述头部中的所述排气槽的内侧的区域设置有开口部，该开口部形成能够对所述被处理面进行处理的处理用空间，所述差动排气装置在使所述对置面与所述被处理面对置的状态下，利用来自所述排气槽的吸气作用将所述处理用空间设为高真空；以及聚焦离子束柱状体，其配置在所述头部中的与所述对置面相反的一侧，具备与所述开口部连结而能够与所述处理用空间连通的镜筒，在所述镜筒内内置有聚焦离子束光学系统来将离子束以穿过所述开口部内的方式射出，所述聚焦离子束装置的特征在于，还具备：真空垫，其位于所述被处理基板的面方向的外侧，将以环绕该被处理基板的方式围绕的吸入面露出，且由多孔质材料构成；基板支承台，其载置所述被处理基板和所述真空垫；以及真空泵，其对所述真空垫进行真空吸
引，当所述头部的一部分向比所述被处理基板的周缘部靠面方向的外侧移动时，所述吸入面对该吸入面与所述头部之间的空间的空气进行吸引来维持所述处理用空间的压力。
[0011]作为上述方案，优选所述真空垫仅形成在围绕所述被处理基板的区域，所述真空垫中的上表面及与所述被处理基板的外周面对置的面构成所述吸入面。
[0012]作为上述方案，优选当所述头部的一部分向所述被处理基板的面方向的外侧移动时，所述上表面与所述头部的对置面对置。
[0013]作为上述方案，优选所述真空垫形成为轮廓比所述被处理基板大的矩形板状，配置于所述基板支承台的上表面，在所述真空垫上配置有所述被处理基板和支撑垫，该支撑垫隔开规定的宽度尺寸的间隙而围绕所述被处理基板的面方向的外侧。
[0014]作为上述方案，优选所述支撑垫由多孔质材料构成。
[0015]专利技术效果
[0016]根据本专利技术，能够实现对被处理基板的周缘附近也能够进行处理而能增大被处理基板中的处理区域的聚焦离子束装置。
附图说明
[0017]图1是表示本专利技术的第一实施方式的聚焦离子束装置的简要结构图。
[0018]图2是本专利技术的第一实施方式的聚焦离子束装置的主要部分剖视图。
[0019]图3是本专利技术的第一实施方式的聚焦离子束装置中的从下方观察差动排气装置的仰视图。
[0020]图4是表示在本专利技术的第一实施方式的聚焦离子束装置中将真空垫的上表面设定为比被处理基板的上表面低的高度水平的示例，是表示差动排气装置配置在被处理基板的周缘部的上方的状态的剖视说明图。
[0021]图5是表示本专利技术的第二实施方式的聚焦离子束装置的简要结构图，示出光学校准显微镜配置在被处理基板的周缘部附近的校准标记的上方的状态。
[0022]图6是表示本专利技术的第二实施方式的聚焦离子束装置的简要结构图，示出差动排气装置位于被处理基板的中央部附近的上方的状态。
[0023]图7是表示本专利技术的第二实施方式的聚焦离子束装置的简要结构图，示出差动排气装置位于被处理基板的周缘部的上方的状态。
[0024]图8是图6中的用虚线包围的区域A的放大说明图。
[0025]图9是图7中的用虚线包围的区域B的放大说明图。
[0026]图10是表示本专利技术的其他实施方式的聚焦离子束装置的简要结构图。
[0027]图11是表示在第二实施方式中没有真空垫的情况(比较例)的放大说明图。
具体实施方式
[0028]以下，基于附图对本专利技术的实施方式的聚焦离子束装置的详细情况进行说明。需要说明的是，应留意附图是示意性的，各构件的尺寸、尺寸的比例、数目、形状等与实际上不同。另外，在附图相互之间也包括彼此的尺寸的关系、比例、形状不同的部分。
[0029][第一实施方式](聚焦离子束装置的简要结构)
[0030]本实施方式的聚焦离子束装置能够用于作为被处理基板的光掩模、TFT基板等的
修正。需要说明的是，本专利技术的聚焦离子束装置还能够适用于对被处理基板进行直接曝光的曝光装置、能够进行被处理基板的表面状态的观察的扫描电子显微镜等。
[0031]图1示出第一实施方式的聚焦离子束装置1的简要结构。聚焦离子束装置1具备差动排气装置2、聚焦离子束柱状体(以下，也称为FIB柱状体)3、基板支承台4、以及使基板支承台4在X－Y方向上移动的X－Y工作台5。
[0032]在FIB柱状体3连接有真空泵6，能够将FIB柱状体3内保持为规定的低压力。在X－Y工作台5连接有工作台控制电源7。
[0033](基板支承台的结构)
[0034]基板支承台4具备基板支承部4A和周缘支撑部4B。基板支承部4A在载置着被处理基板8的状态下对该被处理基板8进行支承。周缘支撑部4B形成为沿着基板支承部4A的周缘部围绕基板支承部4A。
[0035]在周缘支撑部4B上配置有由连续多孔质材料构成的真空垫40。真空垫40以相对于配置在基板支承部4A上的被处理基板8隔着规定的槽部(间隙)4C地围绕被处理基板8的方式设定为框形状。该真空垫40设定为通过未图示的真空泵而向下面侧排气。真空垫40的端部(内周缘的侧壁)41作为吸入面而向槽部4C露出。
[0036]换言之，真空垫40的端部41形成槽部4C的内壁。真空垫40例如能够由陶瓷烧结多孔质体、耐热金属纤维过滤材料等形成。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚焦离子束装置，其具备：差动排气装置，其具备与被处理基板的被处理面的任意区域对置的头部，在所述头部中的与所述被处理面对置的对置面上以围绕所述头部的中心的方式形成有排气槽，在所述头部中的所述排气槽的内侧的区域设置有开口部，该开口部形成能够对所述被处理面进行处理的处理用空间，所述差动排气装置在使所述对置面与所述被处理面对置的状态下，利用来自所述排气槽的吸气作用，将所述处理用空间设为高真空；以及聚焦离子束柱状体，其配置在所述头部中的与所述对置面相反的一侧，具备与所述开口部连结而能够与所述处理用空间连通的镜筒，在所述镜筒内内置有聚焦离子束光学系统来将离子束以穿过所述开口部内的方式射出，所述聚焦离子束的装置的特征在于，还具备：真空垫，其位于所述被处理基板的面方向的外侧，将以环绕该被处理基板的方式围绕的吸入面露出，且由多孔质材料构成；基板支承台，其载置所述被处理基板和所述真空垫；以及真空泵，...

【专利技术属性】
技术研发人员：水村通伸，
申请(专利权)人：株式会社V技术，
类型：发明
国别省市：