【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】差动排气装置及聚焦能量束装置
[0001]本专利技术涉及差动排气装置及聚焦能量束装置。
技术介绍
[0002]聚焦能量束装置被适用为聚焦离子束装置、电子束曝光装置、扫描电子显微镜(SEM:Scanning Electron Microscope)等。聚焦离子束装置是如下的装置:使聚焦了的离子束在试样表面扫描,检测从试样放射出的二次粒子(二次电子、二次离子等),由此能够观察显微镜图像、加工试样表面。具体而言,聚焦离子束装置具有进行试样观察、蚀刻(溅射)、CVD(化学气相沉积)的功能等。
[0003]聚焦离子束装置被适用为图15所示那样的修复装置100。该修复装置100构成为,聚焦离子束光学系统101、供给CVD(Chemical Vapor Deposition)用气体的供给喷嘴102、二次粒子检测部103以及载置被修正基板104的基板支承盘105配置在真空腔室106内。在修复装置100中,利用二次粒子检测部103来检测通过向基板表面照射离子束而从被修正基板放射出的二次电子或者二次离子,求解二维分布,由此能够制成基板表面的显微镜图像。
[0004]在该修复装置100中,基于来自上述的显微镜图像的信息来向被修正基板表面的必主要部分位照射离子束,由此能够进行加工、观察。另外,通过同时从供给喷嘴102供给CVD用气体,由此能够进行局部的成膜来进行加工、修正。在真空腔室106内为低真空的情况下,残留气体分子与离子会发生碰撞而使得离子无法直线行进,因此需要将真空腔室106内设为高真空。
[0005]近年来 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种差动排气装置,其中,所述差动排气装置具备头部,该头部能够相对于被处理基板的被处理面以与该被处理面的任意区域对置的方式进行相对移动,在所述头部中的与所述被处理面对置的对置面形成有多个环状槽,该多个环状槽围绕所述头部的中心,在所述头部的所述多个环状槽中的最内侧的所述环状槽的内侧区域设置有开口部,该开口部形成能够对所述被处理面进行处理的处理用空间,在所述多个环状槽中的至少一个以上的所述环状槽连结真空泵,在使所述对置面与所述被处理面对置的状态下,通过来自所述环状槽的吸气作用来将所述处理用空间设为高真空度,其中,所述差动排气装置还具备:位移驱动部,其能够使所述头部或所述被处理基板进行位移来调整所述被处理面与所述对置面的平行度及距离;间隙测定部,其沿着所述头部的所述对置面的周缘分别配置在至少三个部位以上,能够检测所述对置面与所述被处理面之间的距离;以及间隙控制部,其基于所述间隙测定部检测出的、所述对置面与所述被处理面之间的距离信息来控制所述位移驱动部,以使得所述对置面与所述被处理面隔开规定的距离而成为平行。2.根据权利要求1所述的差动排气装置,其中,所述间隙测定部检测与所述被处理面之间的空间的压力,所述间隙控制部基于所述压力的信息来控制所述位移驱动部。3.根据权利要求1或2所述的差动排气装置,其中,所述被处理基板形成为在X-Y方向上具有纵横的边的长方形,所述头部能够沿着所述被处理基板的X-Y方向进行相对移动,所述间隙测定部设置在所述头部中的形成于最外侧的所述环状槽的外侧的四个部位,该四个部位的所述间隙测定部的组由以所述对置面上的所述开口部的中央为中心而配置在X方向的两侧方的对和以所述开口部的中央为中心而配置在Y方向的两侧方的对这两对来构成。4.根据权利要求1或3所述的差动排气装置,其中,所述间隙测定部由激光位移仪构成,该激光位移仪设定为向比所述对置面更远离所述被处理面的方向偏置配置,由此该激光位移仪与所述被处理面之间的距离成为所述激光位移仪的高精度测定区域。5.根据权利要求1~4中任一项所述的差动排气装置,其中,所述差动排气装置具备光学显微镜,该光学显微镜对形成于所述被处理基板的校准标记进行检测。6.根据权利要求1~5中任一项所述的差动排气装置,其中,所述差动排气装置在所述头部的附近隔开偏置距离而具备观察用显微镜,所述观察用显微镜用于观察所述被处理基板的被处理区域。7.根据权利要求1~6中任一项所述的差动排气装置,其中,
所述多个环状槽中的最外侧的所述环状槽与供给非活性气体的喷出泵连接,从该环状槽朝向被处理基板侧喷吹非活性气体来形成气幕。8.根据权利要求1~6中任一项所述的差动排气装置,其中,沿着所述头部的所述对置面的外周缘配置在该对置面的外侧的浮起垫与所述头部一体地设置,所述浮起垫与供给非活性气体的喷出泵连接,该浮起垫朝向所述被处理面喷吹非活性气体来形成气幕而对所述头部向从所述被处理面离开的方向施力。9.一种聚焦能量束装置,其中,所述聚焦能量束装置具备:差动排气装置,其具备头部,该头部能够相对于被处理基板的被处理面以与该被处理面的任意区域对置的方式进行相对移动,在所述头部中的与所述被处理面对置的对置面形成有多个环状槽,该多个环状槽围绕所述头部的中心,在所述头部的所述多个环状槽中的最内侧的所述环状槽的内侧区域设置有开口部,该开口部形成能够对所述被处理面进行处理的处理用空间,在所述多个环状槽中的至少一个以上的所述环状槽连结真空泵,在使所述对置面与所述被处理面对...
【专利技术属性】
技术研发人员:水村通伸,新井敏成,松本隆德,竹下琢郎,
申请(专利权)人:株式会社V技术,
类型:发明
国别省市:
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