【技术实现步骤摘要】
具有鳍片端间隔物插塞的半导体装置
本案是关于一种半导体装置，特别是关于一种具有鳍片端间隔物插塞的半导体装置。
技术介绍
传统的平面薄膜装置提供具有低功耗的优越效能。为了增强装置可控性并且减少由平面装置占据的基板表面积，半导体工业已发展进入纳米技术制程节点，以追求更高的装置密度、更高的效能，及更低的成本。来自制造及设计问题的挑战已导致三维设计的发展，诸如多栅极场效应晶体管(FET)(包括鳍式场效应晶体管(FinFET)及/或环绕式栅极(GAAFET)场效应晶体管)的发展。在FinFET中，栅极电极相邻于具有栅极介电层插入于其间的通道区域的三个侧表面。因为栅极结构围绕(包裹)三个表面(亦即，顶表面及相对侧表面)上的鳍片，所以晶体管实质上具有控制通过鳍片或通道区域的电流的三个栅极(在顶表面及相对侧表面的每一者处一栅极)。通道底部的第四侧远离栅极电极，且因此不受严密的栅极控制。相反，在GAAFET中，通道区域的所有侧表面(亦即，顶表面、相对的侧表面，及底表面)是由栅极电极围绕，如此允许通道区域的更加完全耗尽并且导致降低的短通道效应，...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n一第一鳍片及一第二鳍片，设置在一基板上且各自具有一鳍片衬垫层；/n一鳍片端间隔物插塞，设置在该第一鳍片及该第二鳍片的端部表面上；/n多个栅极电极，分别设置在该第一鳍片及该第二鳍片上；/n一虚设栅极电极，设置在该鳍片端间隔物插塞上；/n一绝缘层，设置在该第一鳍片及该第二鳍片上；以及/n一源极/漏极磊晶层，设置在该第一鳍片及该第二鳍片的每一者中的一源极/漏极凹槽中，/n其中无栅极电极且无虚设栅极电极设置在该第一鳍片及该第二鳍片的边缘之上。/n
【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,347;20190808 US 16/535,9751.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一第一鳍片及一第二鳍片，设置在一基板上且各自具有一鳍片衬垫层；
一鳍片端间隔物插塞，设置在该第一鳍片及该第二鳍片...
【专利技术属性】
技术研发人员：王梓仲，李东颖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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