半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件包括多个纳米结构。每个纳米结构包含半导体材料。多个第一间隔件周向地环绕纳米结构。多个第二间隔件周向地环绕第一间隔件。多个第三间隔件垂直设置在第二间隔件之间。栅极结构围绕第二间隔件和第三间隔件。本发明专利技术的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了指数式增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。例如，已经引入了多栅极器件以努力通过增加栅极-沟道耦合，减小截止态电流和减少短沟道效应(SCE)来改善栅极控制。一种这样的多栅极器件是水平全环栅(HGAA)晶体管，其栅极结构围绕其水平沟道区延伸，从而在所有侧面上提供对沟道区的访问。HGAA晶体管与传统的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容，允许它们在保持栅极控制和减轻SCE的同时大幅缩小尺寸。然而，传统的HGAA器件可能在栅极和源极/漏极之间具有过大的寄生电容，这可能不利地降低器件性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n多个纳米结构，每个所述纳米结构包含半导体材料；/n多个第一间隔件，周向地环绕所述纳米结构；/n多个第二间隔件，周向地环绕所述第一间隔件；/n多个第三间隔件，垂直设置在所述第二间隔件之间；以及/n栅极结构，围绕所述第二间隔件和所述第三间隔件。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,121;20190619 US 16/446,3121.一种半导体器件，包括：
多个纳米结构，每个所述纳米结构包含半导体材料；
多个第一间隔件，周向地环绕所述纳米结构；
多个第二间隔件，周向地环绕所述第一间隔件；
多个第三间隔件，垂直设置在所述第二间隔件之间；以及
栅极结构，围绕所述第二间隔件和所述第三间隔件。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一间隔件和所述第二间隔件具有不同的材料组分；并且
所述第二间隔件和所述第三间隔件具有不同的材料组分。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一间隔件包括氧化物材料；
所述第二间隔件包括高k介电材料；并且
所述第三间隔件包括低k介电材料。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
每个所述纳米结构在第一方向上延伸；
每个所述纳米结构具有在垂直于所述第一方向的第二方向上测量的第一横向尺寸；
每个所述第三间隔件具有在所述第二方向上测量的第二横向尺寸；并且
所述第二横向尺寸小于所述第一横向尺寸。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
所述纳米结构在与由所述第一方向和所述第二方向限定的平面正交的第三方向上彼此堆叠设置；并且
所述纳米结构在所述第三方向上通过所述第一间隔件的部分、所述第二间隔件的部分和所述第三间隔件的部分彼此分隔开。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，其中，多个所述纳米结构、多个所述第一间隔件、多个所述第二间隔件和多个所述第三间隔件设置在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：江国诚，朱熙甯，程冠伦，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71