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一种半导体器件包括多个纳米结构。每个纳米结构包含半导体材料。多个第一间隔件周向地环绕纳米结构。多个第二间隔件周向地环绕第一间隔件。多个第三间隔件垂直设置在第二间隔件之间。栅极结构围绕第二间隔件和第三间隔件。本发明的实施例还涉及半导体器件的制...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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