半导体元件制造技术

提供了一种半导体元件。半导体元件包括在基板上方形成的栅极结构。间隔层在栅极结构的侧部分上形成。第一介电层在栅极结构上方形成。导电覆盖层穿过第一介电层并且在栅极结构上方形成。导电覆盖层的顶表面在间隔层的顶表面之上。半导体元件进一步包括在导电覆盖层上方形成的导电层。导电层与导电覆盖层电耦接。

Semiconductor element

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本揭露有关于半导体元件。
技术介绍
在过去的几十年中，半导体集成电路工业已经历快速增长。半导体集成电路基本是半导体电子部件的组件(被制造为单个单元)，其中小型化的主动元件(诸如晶体管及二极管)及被动元件(例如，电容器及电阻器)以及其互连在半导体材料(诸如硅)的薄基板上构建。集成电路设计及材料的技术进展已经产生数代集成电路，其中与前代相比，每代具有更小且更复杂的电路。用于集成电路的半导体制造的制程流可包括前段(front-end-of-line，FEOL)、中段(middle-of-line，MOL)及后段(back-end-of-line，BEOL)制程。前段制程制程可包括晶圆制备、隔离、井形成、栅极图案化、间隔物、延伸及源极/漏极植入、硅化物形成、及双应力衬垫形成中的一或多个。中段制程可包括栅极及端子接触形成。后段制程可包括用于互连在前段及中段制程期间产生的半导体元件的一系列晶圆处理步骤。
技术实现思路
本揭露的态样提供了一种半导体元件。半导体元件包括在基板上方形成的栅极结构。间隔层在栅极结构的侧部分上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：/n一栅极结构，形成于基板上方；/n一间隔层，形成于该栅极结构的侧部分上；/n一第一介电层，形成于该栅极结构上方；/n一导电覆盖层，穿过该第一介电层并且在该栅极结构上方形成，该导电覆盖层的一顶表面在该间隔层的一顶表面之上；以及/n一导电层，形成于该导电覆盖层上方，该导电层与该导电覆盖层电耦接。/n

【技术特征摘要】
20180921 US 62/734,567;20181228 US 16/235,6101.一种半导体元件，其特征在于，包含：
一栅极结构，形成于基板上方；
一间...

【专利技术属性】
技术研发人员：游家权，张家豪，林佑明，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71