半导体元件的布局制造技术

本申请是提供一种半导体元件的布局，其储存在非暂时性计算机可读媒体中。此布局包括在主动元件区域中的第一晶体管及在保护环区域中的第二晶体管。第一晶体管包括第一通道区域、跨越第一通道区域的第一栅极结构，及在第一通道区域的相对两侧上的第一源极区域及第一漏极区域。第二晶体管包括第二通道区域、跨越第二通道区域的第二栅极结构，及在第二通道区域的相对两侧上的第二源极区域及第二漏极区域。第二通道区域包括半导体材料，半导体材料具有比第一通道区域的半导体材料高的热导率。

Layout of semiconductor components

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的布局
本揭露是关于半导体元件的布局，尤其是关于进阶鳍式场效晶体管集成电路的散热片的布局设计。
技术介绍
使集成电路(IC)小型化已导致更小的元件，此些元件消耗更少功率，但相较于以前在高的速度下提供更多功能。小型化过程亦已导致IC设计及/或制造制程中的各种发展，以帮助确保元件可靠性及所要的元件效能。
技术实现思路
本揭露的一态样是提供一种半导体元件的布局。此布局是储存在一非暂时性计算机可读媒体中且包括一第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管，位在一主动元件区域中。第一晶体管包括在一第一半导体鳍片中的一第一通道区域、跨越第一通道区域的一第一栅极结构以及在第一通道区域的相对两侧上的第一半导体鳍片中的一第一源极区域及一第一漏极区域。第二晶体管，位在一保护环区域中。第二晶体管包括在一第二半导体鳍片中的一第二通道区域、跨越第二通道区域的一第二栅极结构以及在第二通道区域的相对两侧上的第二半导体鳍片中的一第二源极区域及一第二漏极区域。第二通道区域包括一半导体材料。半导体材料具有比第一通道区域的一半导体材料高的一热导率。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件的布局，其特征在于，该布局是储存在一非暂时性计算机可读媒体中且包括：/n一第一晶体管，位在一主动元件区域中，该第一晶体管包括在一第一半导体鳍片中的一第一通道区域、跨越该第一通道区域的一第一栅极结构，以及在该第一通道区域的相对两侧上的该第一半导体鳍片中的一第一源极区域及一第一漏极区域；以及/n一第二晶体管，位在一保护环区域中，该第二晶体管包括在一第二半导体鳍片中的一第二通道区域、跨越该第二通道区域的一第二栅极结构，以及在该第二通道区域的相对两侧上的该第二半导体鳍片中的一第二源极区域及一第二漏极区域，/n其中该第二通道区域包括一半导体材料，该半导体材料具有比该第一通道区域的一半导...

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,861;20190529 US 16/425,8741.一种半导体元件的布局，其特征在于，该布局是储存在一非暂时性计算机可读媒体中且包括：
一第一晶体管，位在一主动元件区域中，该第一晶体管包括在一第一半导体鳍片中的一第一通道区域、跨越该第一通道区域的一第一栅极结构，以及在...

【专利技术属性】
技术研发人员：昆杜·阿密特，洪照俊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71