一种集成的低电容ESD保护器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成的低电容ESD保护器件，该器件包括四个通道的低电容单向集成ESD保护器件，每个通道均由串联的低电容二极管D1和低电容二极管D2组成，该四个通道均与低电压二极管D3并联。本实用新型专利技术将三颗芯片，二极管D1、D2、D3集成在一颗芯片上，同时满足高ESD泄放电流、低电容、低残压的性能要求。

An integrated Low Capacitance ESD protection device

【技术实现步骤摘要】
一种集成的低电容ESD保护器件
本技术涉及半导体器件以及半导体工艺
，具体为一种集成的低电容ESD保护器件及其制备方法。
技术介绍
随着半导体器件的工艺尺寸不断缩小，电路的应用环境日趋复杂，集成电路面临静电放电（ESD，ElectrostaticDischarge）的频率与冲击随之加强。在消费电子应用的接口端，诸如，DVI（数字视频接口，DigitalVisualInterface）、VGA（视频图形阵列接口，VideoGraphicsArrayInterface）USB（通用串行总线，UniversalSerialBus）、HDMI(高清数字接口，HighDefinitionMultimediaInterface)等经常受到ESD的冲击。随着数据传输速度要求的不断提高，静电放电过程中的冲击电流越来越高，因此对于ESD保护器件的要求越来越高。这就要求保护器件具有低电容、低残压、可以承受大电流冲击的能力。ESD保护器件从设计结构上，主要有二极管结构、三极管结构、晶闸管结构等，二极管结构主要利用二极管反向击穿电压的钳位保护功能进行ES本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成的低电容ESD保护器件，其特征在于：包括四个通道的低电容单向集成ESD保护器件，每个通道均由串联的低电容二极管D1和低电容二极管D2组成，该四个通道均与低电压二极管D3并联；低电容二极管D1包括：P+衬底区（1），N+埋层（2），N-外延层（3），P+穿通区（4），STI隔离区（5），P+扩散区（7），N+扩散区（8），氧化层区（9），正面金属区（10），背面金属区（11）；低电容二极管D2包括：P+衬底区（1），N+埋层（2），N-外延层（3），STI隔离区（5），P+扩散区（7），N+扩散区（8），氧化层区（9），正面金属区（10），背面金属区（11）；低电压二极管D3包括：P...

【技术特征摘要】
1.一种集成的低电容ESD保护器件，其特征在于：包括四个通道的低电容单向集成ESD保护器件，每个通道均由串联的低电容二极管D1和低电容二极管D2组成，该四个通道均与低电压二极管D3并联；低电容二极管D1包括：P+衬底区（1），N+埋层（2），N-外延层（3），P+穿通区（4），STI隔离区（5），P+扩散区（7），N+扩散区（8），氧化层区（9），正面金属区（10），背面金属区（11）；低电容二极管D2包括：P+衬底区（1），N+埋层（2），N-外延层（3），STI隔离区（5），P+扩散区（7），N+扩散区（8），氧化层区（9），正面金属区（10），背面金属区（11）；低电压二极管D3包括：P+衬底区（1），N+埋层（2），N-外延层（3），P+穿通区（4），STI隔离区（5），P-扩散区（6），P+扩散区（7），N+扩散区（8），氧化层区（9），正面金属区（10），背面金属区（11）、N++扩散区（12）。


2.按照权利要求1所述的一种集成的低电容ESD保护器件，其特征在于：所述低电容二极管D1的阳极区由P+扩散区（7）组成，...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋文龙，
申请(专利权)人：成都吉莱芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51