一种倒装功率器件封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种倒装功率器件封装结构，基板顶部贴合有异形导电金属层，并且在异形导电金属层表面有通过热压成型凸起的导电柱，通过导电连接层将异形导电金属层和功率半导体芯片导电连接；功率半导体芯片的顶面成型有铝电极，并且在铝电极上键合有焊接金属球；异形导电金属层和功率半导体芯片表面设有绝缘层，将芯片和导电柱全部密封包裹，导电柱和焊接金属球顶部一部分裸露在绝缘层表面；采用新的贴片封装结构，能够实现功率半导体芯片垂直导电的性能；用料少，单颗封装成本低；使用异形导电金属层的导电柱导通电流，比传统封装结构中焊线工艺电流密度大；采用绝缘材料进行侧边保护，实现工艺简单，用量少，成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装功率器件封装结构
本专利技术涉及半导体器件领域，尤其是涉及一种倒装功率器件封装结构。
技术介绍
现有的功率半导体器件主要分为VDMOS、BJT、二极管，都是垂直导电的功率半导体器件，现有功率半导体贴片封装(SMT)，都是在固定框架上，通过固晶、焊线、塑封、电镀、成型五步主要工序，将功率半导体芯片封装在特定的贴片封装形式中。垂直导电的BJT、VDMOS、二极管等功率器件，由于芯片背面需要通过大电流，更是离不开这种封装结构。这种结构缺点：1，封装外形体积大，不适合于穿戴电子设备和移动电子设备等要求小空间的电器；2，成本高，体积大，采用的物料消耗大，成本高。
技术实现思路
本专利技术为克服上述情况不足，旨在提供一种能解决上述问题的技术方案。一种倒装功率器件封装结构，具有层状结构，层状结构包括具有一定硬度材料的基板，基板顶部贴合有异形导电金属层，并且在异形导电金属层表面有通过热压成型凸起的导电柱，基板上的异形导电金属层一端设有功率半导体芯片，并且在异形导电金属层和功率半导体芯片之间设有导电连接层，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装功率器件封装结构，具有层状结构，其特征在于，层状结构包括具有一定硬度材料的基板，基板顶部贴合有异形导电金属层，并且在异形导电金属层表面有通过热压成型凸起的导电柱，基板上的异形导电金属层一端设有功率半导体芯片，并且在异形导电金属层和功率半导体芯片之间设有导电连接层，通过导电连接层将异形导电金属层和功率半导体芯片导电连接；功率半导体芯片的顶面成型有铝电极，并且在铝电极上键合有焊接金属球；异形导电金属层和功率半导体芯片表面设有绝缘层，绝缘层填满在功率半导体芯片和导电柱的侧面和上面，将芯片和导电柱全部密封包裹，导电柱和焊接金属球顶部一部分裸露在绝缘层表面；裸露在绝缘层表面的导电柱和焊接金属...

【技术特征摘要】
1.一种倒装功率器件封装结构，具有层状结构，其特征在于，层状结构包括具有一定硬度材料的基板，基板顶部贴合有异形导电金属层，并且在异形导电金属层表面有通过热压成型凸起的导电柱，基板上的异形导电金属层一端设有功率半导体芯片，并且在异形导电金属层和功率半导体芯片之间设有导电连接层，通过导电连接层将异形导电金属层和功率半导体芯片导电连接；功率半导体芯片的顶面成型有铝电极，并且在铝电极上键合有焊接金属球；异形导电金属层和功率半导体芯片表面设有绝缘层，绝缘层填满在功率半导体芯片和导电柱的侧面和上面，将芯片和导电柱全部密封包裹，导电柱和焊接金属球顶部一部分裸露在绝缘层表面；裸露在绝缘层表面的导电柱和焊接金属球成型有切面，并且在切面上设有易焊金属保护层。


2.根据权利要求1所述的一种倒装功率器件封装结构，其特征在于，基板为具有硬度的金属、硅、陶瓷、蓝宝石、玻璃其中一种材料。


3.根据权利要求1所述的一种倒装功率器件封装结构，其特征在于，功率半导体芯片厚度比导电柱凸起部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹创发，
申请(专利权)人：湖北方晶电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42