功率模块和相关方法技术

本发明专利技术题为“功率模块和相关方法”。功率模块的实施方式可包括：基板，该基板具有第一侧和第二侧。功率模块可包括耦接到基板的第二侧的多根引线和在基板的五个或更多个表面的一部分上方的模塑料。功率模块还可包括从基板的第一侧延伸到模塑料的外边缘的开口。开口可被构造成接纳耦接设备，并且耦接设备可被构造成与散热器或封装支撑件耦接。

Power modules and related methods

【技术实现步骤摘要】
功率模块和相关方法相关专利申请的交叉引用本文件要求授予Zhou等人的名称为“PowerModulesandRelatedMethods”(功率模块和相关方法)的美国临时专利申请62/736,521的提交日期的权益，该申请提交于2018年9月26日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
本文件的各方面整体涉及功率模块，诸如开关、桥和逆变器。更具体的实施方式涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
技术介绍
功率集成模块根据控制接口处的信息内容来处理功率。功率模块涵盖的功能包括功率源总线类型、集成到总线中的无源部件以及集成到负载中的无源部件等。集成功率模块为若干功率部件(通常为功率半导体器件)提供物理封闭封装。
技术实现思路
功率模块的实施方式可包括：基板，该基板具有第一侧和第二侧。功率模块可包括耦接到基板的第二侧的多根引线和在基板的五个或更多个表面的一部分上方的模塑料。功率模块还可包括从基板的第一侧延伸到模塑料的外边缘的开口。开口可被构造成接纳耦接设备，并且耦接设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n基板，所述基板包括第一侧和第二侧；/n多根引线，所述多根引线耦接到所述基板的第二侧；/n模塑料，所述模塑料包括在所述基板的五个或更多个表面的一部分上方；和/n第一开口，所述第一开口从所述基板的第一侧延伸到所述模塑料的外边缘，所述开口被构造成接纳耦接设备，所述耦接设备被构造成与散热器或封装支撑件中的一个耦接。/n

【技术特征摘要】
20180926 US 62/736,521;20190830 US 16/556,5411.一种半导体封装件，包括：
基板，所述基板包括第一侧和第二侧；
多根引线，所述多根引线耦接到所述基板的第二侧；
模塑料，所述模塑料包括在所述基板的五个或更多个表面的一部分上方；和
第一开口，所述第一开口从所述基板的第一侧延伸到所述模塑料的外边缘，所述开口被构造成接纳耦接设备，所述耦接设备被构造成与散热器或封装支撑件中的一个耦接。


2.根据权利要求1所述的封装件，还包括围绕所述模塑料的所述外边缘上的所述第一开口定位的支座单元，其中所述支座单元被构造成抵靠所述散热器或所述封装支撑件中的一个支撑所述封装件。


3.根据权利要求1所述的封装件，还包括第二开口，其中所述第一开口和所述第二开口在所述封装件内均匀地间隔开。


4.根据权利要求1所述的封装件，其中所述多根引线各自与包括所述多根引线的引线框的一侧上的两多或更多根引线相距相等的距离。


5.一种形成半导体封装件的方法，所述方法包括：
将引线框耦接到基板，其中所述引线框具有从其中从所述引线框的四个侧面中的每个侧面延伸出的多根引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：周锦昌，A·杰克沃尼，周志雄，林育圣，S·瓦纳帕蒂，S·T·萨巴多，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US