【技术实现步骤摘要】
三维存储器的制造方法
本专利技术涉及一种三维存储器的制造方法，该三维存储器的制造方法不会对导电部造成损伤，减少了三维存储器的漏电。
技术介绍
半导体集成电路自诞生以来，经历了从小规模、中规模到大规模和超大规模集成的发展阶段，并日益成为现代科学技术中最为活跃的
之一。存储器是一种广泛使用的半导体器件。为了克服传统的二维存储器在存储容量方面的限制，现代工艺往往采用堆叠存储芯片的方式来实现更高的集成度。例如，可以将不同功能的芯片或结构，通过堆叠或孔互连等微机械加工技术，在垂直方向上形成立体集成、信号连通的三维(3D)立体器件。三维存储器就是利用这一技术将存储器单元三维地布置在衬底之上，进而实现提高存储器的性能和存储密度的目的。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种三维存储器的制造方法，该三维存储器的制造方法不会对导电部造成损伤，减少了三维存储器的漏电。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有...
【技术保护点】
1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：/n提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底；/n在所述衬底上形成具有第一开口的伪栅极层；/n在所述伪栅极层上覆盖绝缘层；/n形成贯穿所述绝缘层的第二开口，所述第二开口的尺寸小于所述第一开口；以及/n在所述第二开口中形成导电部，所述导电部通过介于所述第一开口和第二开口之间的绝缘层与所述伪栅极层隔离。/n
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：
提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底；
在所述衬底上形成具有第一开口的伪栅极层；
在所述伪栅极层上覆盖绝缘层；
形成贯穿所述绝缘层的第二开口，所述第二开口的尺寸小于所述第一开口；以及
在所述第二开口中形成导电部，所述导电部通过介于所述第一开口和第二开口之间的绝缘层与所述伪栅极层隔离。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括形成介于所述衬底和所述伪栅极层之间的介质层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二开口中形成导电部之后还包括：
在所述绝缘层之上形成堆叠结构。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层之上形成堆叠结构之后还包括：
形成贯穿所述堆叠结构而到达所述导电部的沟道孔；
在所述沟道孔内壁依次形成存储器层和沟道层。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层之上形成堆叠结构之后还包括：
形成贯穿所述堆叠结构而到达所述衬底的栅线隙；
通过所述栅线隙去除所述伪栅极层，且保留介于所述第一开口和第二开口之间的绝缘层。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述伪栅极层上覆盖绝缘层之后还包括：
在所述绝缘层之上形成堆叠结构；以及
形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔，其中贯穿所述绝缘层的第二开口是贯穿所述堆叠结构的沟道孔的一部分。
7.如权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳佳，耿静静，王香凝，肖梦，王攀，张慧，刘新鑫，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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