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本发明涉及一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构具有衬底；在衬底上形成具有第一开口的伪栅极层；在伪栅极层上覆盖绝缘层；形成贯穿绝缘层的第二开口，第二开口的尺寸小于第一开口；以及在第二开口中形成导电部，导电部通过介...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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