MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构技术

本发明专利技术提供了一种MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构，在键合MEMS器件晶圆和盖帽晶圆之前，先在盖帽晶圆上特定的空腔内表面上形成可分解材料，在键合MEMS器件晶圆和盖帽晶圆之后，利用相应的工艺来使得密闭腔体内的可分解材料分解而产生气体以达到调整密闭腔体内的气压真空度的目的，使得单芯片上能够集成多种功能的MEMS器件。

Wafer level packaging method and structure of MEMS devices

【技术实现步骤摘要】
MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构
本专利技术涉及MEMS器件封装
，特别涉及一种MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构。
技术介绍
随着MEMS器件在3C电子产品(例如手机等)上的应用越来越广泛，且随着人们对电子产品的功能要求越来越多，单芯片集成多种MEMS器件的需求越来越大，例如目前手机上常见的MEMS器件有陀螺仪传感器、加速度传感器、压力传感器、磁力计和麦克风等，且目前一些产品的单芯片上已经集成有6个自由度的电容式惯性MEMS传感器(包含3轴陀螺仪和3轴加速度计)，未来还会出现单芯片上集成9个自由度的惯性MEMS传感器等。然而，目前每一种MEMS器件都有各自的空腔要求，且每一种MEMS器件的空腔所需要的真空度的要求都不同，例如，陀螺仪传感器的空腔的真空度要求最高，加速度传感器次之，而压力传感器由于其振膜需要有气压支撑，所以一般会要求空腔内的气压是常压附近。专利技术人发现，目前已有的MEMS器件封装方法，很难满足多种不同MEMS器件在单芯片集成时所需的不同真空度的要求。
技术实现思路
<br>本专利技术的目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，包括：/n提供MEMS器件晶圆和盖帽晶圆，所述MEMS晶圆上形成有至少两种功能不同的MEMS器件的机械微结构；/n在所述盖帽晶圆上形成与各个所述MEMS器件的机械微结构一一对应的空腔；/n采用在预设条件下能分解出气体的可分解材料，在所述盖帽晶圆上形成图形化的气体释放层，所述图形化的气体释放层覆盖需要增压的空腔的内表面并暴露出所述盖帽晶圆的键合表面以及其余空腔的内表面；/n键合所述MEMS器件晶圆和所述盖帽晶圆，且所述盖帽晶圆的各个空腔将相应的所述MEMS器件的机械微结构封闭在内；/n对键合后的晶圆结构施加所述预设条件，以使得相应的所述空腔中的所述...

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，包括：
提供MEMS器件晶圆和盖帽晶圆，所述MEMS晶圆上形成有至少两种功能不同的MEMS器件的机械微结构；
在所述盖帽晶圆上形成与各个所述MEMS器件的机械微结构一一对应的空腔；
采用在预设条件下能分解出气体的可分解材料，在所述盖帽晶圆上形成图形化的气体释放层，所述图形化的气体释放层覆盖需要增压的空腔的内表面并暴露出所述盖帽晶圆的键合表面以及其余空腔的内表面；
键合所述MEMS器件晶圆和所述盖帽晶圆，且所述盖帽晶圆的各个空腔将相应的所述MEMS器件的机械微结构封闭在内；
对键合后的晶圆结构施加所述预设条件，以使得相应的所述空腔中的所述气体释放层分解出气体来增大所述空腔内的气压。


2.如权利要求1所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，形成所述图形化的气体释放层的步骤包括：先在所述盖帽晶圆的表面上覆盖一定厚度的可分解材料，然后通过选择性去除工艺去除多余的所述可分解材料，以形成所述图形化的气体释放层；或者，形成所述图形化的气体释放层的步骤包括：在一图形掩膜板的遮挡下，采用所述可分解材料对所述盖帽晶圆进行涂覆或沉积，以形成所述图形化的气体释放层。


3.如权利要求2所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述选择性去除工艺为激光照射分解工艺或者选择性刻蚀工艺。


4.如权利要求1至3中任一项所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福成，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33