半导体器件及其制造方法技术

提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成初始介电层；在初始介电层上形成第二电极；以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。

Semiconductor devices and manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法通过引用将于2018年9月19日向韩国知识产权局提交的名称为“SemiconductorDeviceandMethodofManufacturingtheSame”的第10-2018-0112262号韩国专利申请完全包括于此。
实施例涉及一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。
技术介绍
在目前的工业中，半导体器件被用在许多电子产品中，并可以表现出多功能性、紧凑性、低功耗等。半导体器件可以由诸如半导体层、导电层和介电层的各种材料层组成。
技术实现思路
实施例涉及一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成初始介电层；在初始介电层上形成第二电极；以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。实施例还涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极与第二电极之间的介电层。介电层可以包括与第一电极相邻的第一部分和与第二电极相邻的第二部分。第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：/n形成第一电极；/n在第一电极上形成初始介电层；/n在初始介电层上形成第二电极；以及，/n使初始介电层至少部分地相变以形成介电层，第一电极与介电层之间的界面能小于第一电极与初始介电层之间的界面能。/n

【技术特征摘要】
20180919 KR 10-2018-01122621.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：
形成第一电极；
在第一电极上形成初始介电层；
在初始介电层上形成第二电极；以及，
使初始介电层至少部分地相变以形成介电层，第一电极与介电层之间的界面能小于第一电极与初始介电层之间的界面能。


2.根据权利要求1所述的方法，其中：
第一电极和第二电极中的一个或更多个包括氮化铌，并且
初始介电层和介电层包括氧化铪。


3.根据权利要求2所述的方法，其中：
初始介电层具有单斜晶相或非晶相氧化铪，并且
介电层具有四方晶相氧化铪。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，介电层的介电常数大于初始介电层的介电常数。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，初始介电层与第一电极和第二电极接触。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，初始介电层的相变从初始介电层与第一电极之间的第一界面和初始介电层与第二电极之间的第二界面中的一个或更多个朝向初始介电层的内部持续进行。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，使初始介电层相变的步骤包括执行退火工艺。


8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤中的一个或更多个：
用高介电元素对初始介电层进行掺杂；以及
用高介电元素对介电层进行掺杂。


9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述高介电元素包括锆、铝、钇、钪、镧、铈、镝和钽中的一种或更多种。


10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括形成嵌入在初始介电层中的高介电层，
其中，初始...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑圭镐，姜相列，曹圭镐，金恩善，文孝植，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR