一种具有抑制压接型IGBT器件渡越时间振荡的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供的一种具有抑制压接型IGBT器件渡越时间振荡的装置，所述装置包括：发射极极板(1)、PCB板(5)、集电极极板(7)和软磁材料(3)；所述PCB板(5)通过软磁材料(3)与所述发射极极板(1)连接后进行封装；所述发射极极板(1)与集电极极板(7)相连接。对目前存在的压接式IGBT器件的拖尾电流振荡有很好的抑制作用。

A device for suppressing the transit time oscillation of crimped IGBT devices

【技术实现步骤摘要】
一种具有抑制压接型IGBT器件渡越时间振荡的装置
本专利技术涉及电力电子器件技术，具体涉及一种具有抑制压接型IGBT器件渡越时间振荡的装置。
技术介绍
IGBT是一种电压全控器件，其开关速度快，驱动简便，具有较高的功率密度和较高的成本。大功率IGBT封装形式一般分为焊接型和压接型两种，相较于焊接型，压接型IGBT器件因其具有双面散热特性、短路失效模式等优良特性，尤其适用于串联型电压源换流器场合，在电力系统应用领域具有独特的优势和广泛的应用前景。压接型IGBT器件由IGBT芯片和二极管芯片并联而成，各个芯片之间通过寄生参数形成回路，在器件拖尾电流期间由于载流子抽取形成负阻效应，容易发生等离子体抽取渡越时间(PETT，PlasmaExtractionTransitTime)振荡。图1为器件PETT振荡的典型波形，这是一种射频(RF，RadioFrequency)振荡，这种振荡发生在器件拖尾电流的流动时间内，振荡发生在栅极信号Vge和集电极电流信号Ice上，由于栅极信号本身较小，通过密勒电容，这种振荡更容易通过栅极信号表现出来。对于指定的封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有抑制压接型IGBT器件渡越时间振荡的装置，其特征在于，所述装置包括：/n发射极极板(1)、PCB板(5)、集电极极板(7)和软磁材料(3)；/n所述PCB板(5)通过软磁材料(3)与所述发射极极板(1)连接后进行封装；/n所述发射极极板(1)与集电极极板(7)相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有抑制压接型IGBT器件渡越时间振荡的装置，其特征在于，所述装置包括：
发射极极板(1)、PCB板(5)、集电极极板(7)和软磁材料(3)；
所述PCB板(5)通过软磁材料(3)与所述发射极极板(1)连接后进行封装；
所述发射极极板(1)与集电极极板(7)相连接。


2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述发射极极板设有IGBT芯片发射极凸台(2)和FRD芯片阳极凸台(4)；
其中，所述IGBT芯片发射极凸台(2)中设有IGBT芯片；所述FRD芯片阳极凸台设有FRD芯片(4)；
所述PCB板与所述IGBT芯片发射极凸台(2)或FRD芯片阳极凸台(4)对应的位置上设有矩形孔，所述PCB板通过所述矩形孔套入所述IGBT芯片发射极凸台(2)。


3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述PCB板与所述软磁材料(3)相接触的另一侧设有金属走线。


4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述软磁材料包括磁环；所述磁环具有矩形框结构，所述矩形框的内框边长与所述IGBT芯片发...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙帅，李金元，潘艳，陈中圆，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11