加热装置以及加热方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种加热装置，能够在清洁的加热环境中加热基板。加热装置包括：加热板，从下方加热被定位于加热位置的矩形状的基板；升降机构，使基板相对于加热板在铅垂方向上在比加热位置高的待机位置和加热位置之间升降；以及矫正机构，具有能够与基板的上表面的周缘部抵接的矫正构件，矫正机构通过使矫正构件在定位于加热位置的基板的四边的附近位于加热位置，将在通过加热板加热基板前基板中的向上方翘曲的周缘部矫正至加热位置，并限制在基板的加热中基板的周缘部向加热位置的上方翘曲，来控制通过加热板加热的基板的姿势。

Heating device and heating method

【技术实现步骤摘要】
加热装置以及加热方法
本专利技术涉及从下方加热矩形状的基板的加热装置以及加热方法。
技术介绍
作为半导体器件的制造工艺的一种，存在所谓的加热处理，所述加热处理一边以大致水平姿势支撑具有矩形状的基板，一边从下方加热基板。在该加热处理中，近年来，随着基板的大型化，基板的翘曲也进一步变大，从而难以进行均匀的加热处理。因此，提出使用例如日本特开2006-339485号公报所记载的矫正技术。在该矫正技术中，在腔室盖的下表面周缘部设置倾斜面，并在使该倾斜面与基板的周缘端抵接后，进一步使腔室盖下降至烘烤板(相当于本专利技术的“加热板”)侧，以矫正基板的翘曲。通过该矫正，能够适当地维持基板和烘烤板之间的距离，从而能够实现均匀的加热处理。在上述加热处理中，在基板的翘曲矫正时，由于设置于腔室盖上的倾斜面和基板的周缘端互相摩擦，因此，可能会产生颗粒。因此，难以在清洁的加热环境中加热基板。另外，在上述加热处理中，由于腔室盖的倾斜面向烘烤板侧按压基板的周缘端部，因此，腔室盖的下降量大于应该矫正的翘曲量。因此，若基板的翘曲量多，则需要与此相应地增大下降量。然而，腔室盖超过允许范围移动是不妥当的，因此，有时难以应对翘曲量的增大。在这种情况下，不能矫正基板的翘曲。特别地，近年来，在以晶片级封装(WLP：WaferLevelPackaging)或面板级封装(PLP：PanelLevelPackaging)等制造方式制造的半导体封装中，在矩形状的玻璃基板上多层地组合多个半导体芯片、芯片间的布线等，它们的热收缩率或热膨胀率的差异量大于仅层叠抗蚀层等的半导体基板。因此，期望提供提高能够矫正的基板的翘曲的最大量(以下，称为“最大矫正量”)的技术。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题而提出，其目的在于，提供一种加热装置以及加热方法，既能够提高最大矫正量，又能够在清洁的加热环境中加热基板。本专利技术的一技术方案的加热装置，其特征在于，包括：加热板，从下方加热被定位于加热位置的矩形状的基板；升降机构，使所述基板相对于所述加热板在铅垂方向上在比所述加热位置高的待机位置和所述加热位置之间升降；以及矫正机构，具有能够与所述基板的上表面的周缘部抵接的矫正构件，所述矫正机构通过使所述矫正构件在定位于所述加热位置的所述基板的四边的附近位于所述加热位置，将在通过所述加热板加热所述基板前所述基板中的向上方翘曲的所述周缘部矫正至所述加热位置，并限制在所述基板的加热中所述基板的周缘部向加热位置的上方翘曲，来控制通过所述加热板加热的所述基板的姿势。本专利技术的另一技术方案的加热方法，其特征在于，包括：使矩形状的基板相对于加热板定位于规定的加热位置的工序；使能够与所述基板的上表面的周缘部抵接的矫正构件从比所述加热位置高的位置朝向定位于所述加热位置的所述基板下降，并使所述矫正构件在所述基板的四边的附近定位于所述加热位置，在所述矫正构件的下降中，将所述基板中的向上方翘曲的所述周缘部矫正至所述加热位置的工序；以及在将所述矫正构件定位至所述加热位置的状态下，通过所述加热板加热所述基板，并且限制在所述基板的加热中所述基板的周缘部向所述加热位置的上方翘曲的工序。在这样构成的专利技术中，矫正构件能够与基板的上表面的周缘部抵接。并且，矫正构件在定位于加热位置的基板的四边的附近位于加热位置。在此，通过加热板加热基板前基板中的向上方翘曲的周缘部与矫正构件抵接而被矫正至加热位置。另外，即使在基板的加热中基板的周缘部向加热位置的上方翘曲，也能够与矫正构件抵接来限制翘曲。这样，通过矫正构件向铅垂下方抵接于基板的上表面，控制基板的姿势，并且通过加热板加热该基板。如上所述，矫正构件向铅垂下方与基板的上表面抵接来矫正翘曲。因此，能够抑制颗粒的产生，从而在清洁的环境中加热基板，并且，与现有技术相比，能够提高最大矫正量。附图说明图1是表示本专利技术的加热装置的第一实施方式的图。图2是沿图1的A-A线的剖视图。图3是用于说明矫正销向支撑部安装的图。图4是表示通过如图1所示的加热装置进行加热动作的流程图。图5是示意性地表示加热动作的主要工序的示意图。图6是表示使用不具有矫正机构的加热装置进行加热处理时的温度特性的图表。图7是表示使用本实施方式的加热装置进行加热处理时的温度特性的图表。图8是表示本专利技术的加热装置的第二实施方式的图。图9是表示本专利技术的加热装置的第三实施方式的图。图10是表示本专利技术的加热装置的第四实施方式的图。图11是表示本专利技术的加热装置的第五实施方式的图。附图标记的说明：1加热装置20加热板30升降机构32升降销33、46升降构件34升降销驱动部40矫正机构43升降柱44连接配件45支撑部45A～45D支撑构件47升降柱驱动部48、48a矫正销(矫正构件)49矫正块(矫正构件)P1主加热位置(加热位置)P2预加热位置(加热位置)S基板Z铅垂方向具体实施方式图1是表示本专利技术的加热装置的第一实施方式的图。另外，图2是沿图1的A-A线的剖视图。该加热装置1在俯视时呈矩形状，接收并加热在加热装置1的表面上层叠有半导体芯片、布线等的半导体封装用玻璃基板(以下，简称为“基板”)S。此外，基板的材质、层叠物的种类并不限定于此，另外，也可以加热例如用于制造半导体封装以外的半导体器件的基板。如图1所示，加热装置1包括接收基板S的腔室10。通过在腔室10内进行处理，能够防止由于加热处理而挥发的气体成分向周围飞散，并且通过覆盖被加热的基板S的周围来抑制散热，从而能够提高能量效率。为了这些目的，腔室10为将顶板11、侧板12、底板13以及挡板14箱型地组合的结构。挡板14相对于设置于腔室10的一个侧面的开口15自由开闭地安装，在关闭状态下，经由密封件(省略图示)按压腔室10的侧面来堵塞开口15。另一方面，在图1的虚线所示的挡板14的打开状态下，能够经由打开的开口15与外部进行基板S的交换。即，通过未图示的外部的搬运机器人等保持的未处理的基板S经由开口15被搬入腔室10内。另外，在腔室10内处理完成的基板S通过搬运机器人等向外部搬出。在腔室10的底部设置有加热板20。在加热板20的上表面设置有多个凹部(省略图示)，并在各个凹部中嵌入直径比凹部的深度略大的球体21。通过这些球体21的顶部能够从下方支撑基板S，从外部搬入的基板S以将层叠有半导体芯片等的面朝上的方式载置于球体21上。这样，基板S以距加热板20的上表面形成被称为接近间隙的微小空间的状态被定位。在本说明书中，将这样定位并进行加热处理的基板S的位置(在本说明书中，铅垂方向Z中的基板S的上表面的高度位置)称为“主加热位置”。另外，如后面详细地说明，在本说明书中，将在待机位置和主加热位置之间进行预加热的位置称为“预加热位置”，所述待机位置是为了在铅垂方向Z上进行基板S的交接而使基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热装置，其特征在于，/n包括：/n加热板，从下方加热被定位于加热位置的矩形状的基板；/n升降机构，使所述基板相对于所述加热板在铅垂方向上在比所述加热位置高的待机位置和所述加热位置之间升降；以及/n矫正机构，具有能够与所述基板的上表面的周缘部抵接的矫正构件，/n所述矫正机构通过使所述矫正构件在定位于所述加热位置的所述基板的四边的附近位于所述加热位置，将在通过所述加热板加热所述基板前所述基板中的向上方翘曲的所述周缘部矫正至所述加热位置，并限制在所述基板的加热中所述基板的周缘部向加热位置的上方翘曲，来控制通过所述加热板加热的所述基板的姿势。/n

【技术特征摘要】
20180920 JP 2018-1760481.一种加热装置，其特征在于，
包括：
加热板，从下方加热被定位于加热位置的矩形状的基板；
升降机构，使所述基板相对于所述加热板在铅垂方向上在比所述加热位置高的待机位置和所述加热位置之间升降；以及
矫正机构，具有能够与所述基板的上表面的周缘部抵接的矫正构件，
所述矫正机构通过使所述矫正构件在定位于所述加热位置的所述基板的四边的附近位于所述加热位置，将在通过所述加热板加热所述基板前所述基板中的向上方翘曲的所述周缘部矫正至所述加热位置，并限制在所述基板的加热中所述基板的周缘部向加热位置的上方翘曲，来控制通过所述加热板加热的所述基板的姿势。


2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，
所述矫正构件是将下端部加工成尖细形状的矫正销，
所述矫正机构具有多个所述矫正销，使各矫正销的所述下端部与所述基板的上表面的周缘部点接触，来控制所述基板的姿势。


3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，
所述多个矫正销中的四个矫正销是设置为能够分别与所述基板的上表面的四角点接触的角销。


4.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，
所述矫正机构具有支撑所述多个矫正销的上端部的支撑部，在通过所述加热板加热定位于所述加热位置的所述基板之前，使所述支撑部以支撑所述多个矫正销的状态沿所述铅垂方向移动，使各矫正销的所述下端部位于所述加热位置。


5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶屋央子，上野幸一，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP