【技术实现步骤摘要】
一种非接触式的喷淋清洁装置
本专利技术涉及半导体生长设备,具体涉及一种用于金属有机化学气相沉积设备喷淋的清洁装置及清洁方法。
技术介绍
金属有机化学气相沉积技术(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简称MOCVD)包含了流体力学,传热学、机密机械、化学、光学、半导体材料、计算机等多门学科。MOCVD设备是一种技术密集、自动化程度高、价格昂贵的半导体材料生产专用设备。MOCVD技术具有质量高、稳定性好、重复性好等特点,是半导体材料外延生长的理想方法,有巨大的产业化价值。行业使用的MOCVD设备相当部分采用喷淋方式引进反应气源。喷淋一般采用不锈钢毛细管作为气源的引入通道,毛细管是否堵塞直接影响气源流场的分布,从而影响外延薄膜的均匀性。在外延材料生长过程中,喷淋中的出气口难以避免累积杂质,造成气源的出气口堵塞,影响气体的流动状态,使设备难以实现很好的重复性。所以喷淋的清洁对外延设备的性能稳定性,有着重要的意义。目前,清洁MOCVD设备喷淋的方法,一般是通过设备自带的吸尘器来完成,需要操作 ...
【技术保护点】
1.一种非接触式的喷淋清洁装置,主要包含清洁头(2)、运动组件(3)和吸尘组件(4),其主要特征是清洁头(2)可释放清洁能量源,清洁头(2)安装在运动组件(3)上,位于吸尘组件(4)内部,吸尘组件可以安装在运动组件(3)上,或者固定在特定机构上。/n
【技术特征摘要】
1.一种非接触式的喷淋清洁装置,主要包含清洁头(2)、运动组件(3)和吸尘组件(4),其主要特征是清洁头(2)可释放清洁能量源,清洁头(2)安装在运动组件(3)上,位于吸尘组件(4)内部,吸尘组件可以安装在运动组件(3)上,或者固定在特定机构上。
2.如权利要求1所述的非接触式的喷淋清洁装置,其特征在于,所述清洁头(2)释放的清洁能量源形式为激光输出。
3.如权利要求2所述的非接触式的喷淋清洁装置,其特征在于,所述清洁头(2)的激光输出为纳秒激光或者飞秒激光。
4.如权利要求2所述的非接触式的喷淋清洁装置,其特征在于,所述清洁头(2)的激光输出形式可以是点激光源、线激光源或面激光源。
5.如权利要求1所述的非接触式的喷淋清洁装置,其特征在于,所述清洁头(2)释放的清洁能量源形式为喷...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘胜,甘志银,沈桥,植成杨,
申请(专利权)人:广东众元半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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