一种多源在线切换的分子束外延腔体及方法技术

本发明专利技术提供一种多源在线切换的分子束外延腔体及方法，其特征在于，包括上腔体和下腔体，上腔体分别安装有进样口和上真空抽气口和衬底托架，下腔体分别安装有下真空抽气口，源炉支架一和源炉支架二，上腔体和下腔体之间安装有平板阀门。当开展多层多元化合物分子束外延生长时，通过下旋转轴带动源炉支架旋转，从而实现在线将多个源炉切换到衬底下方，实现所需反应源的在线切换。本发明专利技术专利可以解决常规分子束外延生长系统中多组分多层薄膜连续生长的难题，此外也为高性能多层复杂异质薄膜在线集成制备技术提供了可能。线集成制备技术提供了可能。线集成制备技术提供了可能。

【技术实现步骤摘要】
一种多源在线切换的分子束外延腔体及方法


[0001]本专利技术属于分子束外延薄膜制备领域，特别涉及一种多源在线切换的分子束外延腔体和方法。

技术介绍

[0002]分子束外延作为一种薄膜制备技术，可以实现多种多元化合物薄膜的制备。随着化合物半导体薄膜器件技术的发展，化合物薄膜的组分和掺杂越来越复杂，急需一种可以原位在线制备复杂材料组分和结构的分子束外延设备。
[0003]现有常规的分子束外延反应腔体，根据生产或者实验的器件材料，通常在底部安装有相应的源炉，生长过程中源炉数量通常有限，这基本可以满足某些确定材料类型和组分的薄膜生长，例如GaAs、GaN体系薄膜材料的外延生长。然而。随着半导体器件的结构越来越复杂，化合物薄膜的组分和掺杂也越来越多样化，例如在III
‑
V族四元化合物AlInGaAs或者InGaAsP薄膜的制备中，同时需要进行多杂质共掺杂，或者不同材料四元化合物叠层薄膜的原位集成制备等等。此外多层复杂异质薄膜在线集成制备技术，也为器件某些方面的性能的优化与改进提供了可能。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多源在线切换的分子束外延腔体，其特征在于，包括上腔体和下腔体，上腔体侧边分别安装有进样口和上真空抽气口，上腔体内部的衬底托架通过上旋转轴与上腔体连接，衬底安装在衬底托架上，下腔体侧边安装有下真空抽气口，下腔体内部有2个源炉支架，分别为源炉支架一和源炉支架二，源炉支架一通过下旋转轴一与下腔体连接，源炉支架二通过下旋转轴二与下腔体连接，源炉支架一上安装有4个源炉，依次源炉一、源炉二、源炉三和源炉四，源炉支架二上安装有4个源炉...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘胜，甘志银，沈桥，植成杨，严晗，
申请(专利权)人：广东众元半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：