一种内热壁式分子束外延腔体制造技术

技术编号:37637527 阅读:33 留言:0更新日期:2023-05-25 10:04
本发明专利技术提供一种内热壁式分子束外延腔体。反应腔体内部上方安装有伸缩传动机构和波纹管,伸缩传动机构和波纹管上安装有托盘加热装置和托盘支架,反应腔体下部安装有石英环,石英环内安装有气体源注入口、真空抽气口、源炉一和源炉二。反应腔下方侧边安装有红外加热光源一和红外加热光源二。根据分子束外延生长的材料和工艺流程调节红外加热光源一和红外加热光源二的光源功率加热石英环,石英环通过旋转运动实现温度在圆周空间均匀。本发明专利技术提供一种内热壁式分子束外延腔体,有效降低材料在侧壁的沉积与挥发,从而实现高质量的分子束外延异质结。异质结。异质结。

【技术实现步骤摘要】
一种内热壁式分子束外延腔体


[0001]本专利技术属于薄膜制备
,特别涉及一种内热壁式分子束外延腔体。

技术介绍

[0002]现有的分子束外延腔体内壁是金属材质的冷壁,分子束外延生长过程中,源炉蒸发出来的源材料会沉积在壁面,并在后续生长中持续挥发出来。根据所沉积的材料类型,挥发可能会持续几个小时甚至几天。为了降低壁面沉积的影响,人们在分子束外延腔体外部安装加热毯,通过加热毯的持续加热提高并保持反应腔体的温度,然而这种方式一方面难以做到整个腔体外壳均匀加热,另一方面加热温度有限,实际效果也有限。
[0003]随着分子束外延生长的器件结构越来越复杂,层与层之间的异质界面对器件的性能影响十分大,因此降低前部分外延沉积材料对后续生长的影响十分重要。

技术实现思路

[0004]高质量异质结器件需要陡峭的材料界面,本专利技术提供一种内热壁式分子束外延腔体,有效降低材料在侧壁的沉积与挥发,从而实现高质量的分子束外延异质结。
[0005]本专利技术所提供的内热壁式分子束外延腔体,其特征在于,反应腔体外部顶部安装有伺服电机一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内热壁式分子束外延腔体,其特征在于,反应腔体外部顶部安装有伺服电机一,伺服电机一通过磁力传动装置一将转动运动转递给反应腔体内部上方的伸缩传动机构和波纹管,所述伸缩传动机构上安装有托盘加热装置和托盘支架,托盘支架可以放置衬底,通过伸缩传动机构实现托盘加热装置和托盘支架的伸入和离开石英环内部,并通过设置波纹管实现运动过程中密封,反应腔体外部底部安装有伺服电机二,所述伺服电机二通过磁力传动装置二将转动运动传递给反应腔体内部下方的石英环,所述反应腔体下部安装有石英环,石英环内安装有气体源注入口、真空抽气口...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘胜甘志银沈桥植成杨严晗
申请(专利权)人:广东众元半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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