一种晶圆级封装检测结构及方法技术

技术编号:23560368 阅读:26 留言:0更新日期:2020-03-25 05:25
本发明专利技术涉及封装检测技术领域,涉及一种晶圆级封装检测结构及方法。通过在封装芯片上的设置测试焊垫,在通过测试机台检测与测试焊垫连接的独立背金块,可快速检测封装过程中TSV孔内的背金金属与焊垫的连接是否充分,如果发生批量异常,可以及时停止生产,避免批量异常发生,起到品质监控作用。

A detection structure and method of wafer level packaging

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级封装检测结构及方法
本专利技术涉及封装检测
,涉及一种晶圆级封装检测结构及方法。
技术介绍
现有晶圆的所有接地焊垫在集成电路制造时,一般是相互连接导通的,后续封装加工也是将所有接地焊垫连接在一起的,当有部分接地焊垫存在不连接的情况,一般无法通过成品测试和外观检查识别出来,将在无预知的情况下生产许多瑕疵产品。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种可快速检测封装过程中TSV孔内的背金金属与焊垫的连接是否充分,避免批量异常发生,起到品质监控作用的晶圆级封装检测结构及方法。为了解决上述技术问题,本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种晶圆级封装检测结构及方法,具体步骤包括:S1:在封装芯片上设置至少2个测试焊垫,且每两个测试焊垫通过内部电路相互导通;S2:在封装芯片的硅基底上开设TSV孔,使得TSV孔底部局部或者全部漏出测试焊垫S3:TSV孔上设置独立背金层作为探针接触点,且独立背金层不与芯片表面的芯片背金块连接;S4:通过与测试机台连接的两个探针本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级封装检测方法,其特征在于,具体步骤包括:/nS1:在封装芯片上设置至少2个测试焊垫,且每两个测试焊垫通过内部电路相互导通;/nS2:在封装芯片的硅基底上开设TSV孔,使得TSV孔底部局部或者全部漏出测试焊垫/nS3:TSV孔上设置独立背金层作为探针接触点,且独立背金层不与芯片表面的芯片背金块连接;/nS4:通过与测试机台连接的两个探针分别接触探针接触点,通过两测试焊垫之间的导通状况实现封装芯片的检测。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装检测方法,其特征在于,具体步骤包括:
S1:在封装芯片上设置至少2个测试焊垫,且每两个测试焊垫通过内部电路相互导通;
S2:在封装芯片的硅基底上开设TSV孔,使得TSV孔底部局部或者全部漏出测试焊垫
S3:TSV孔上设置独立背金层作为探针接触点,且独立背金层不与芯片表面的芯片背金块连接;
S4:通过与测试机台连接的两个探针分别接触探针接触点,通过两测试焊垫之间的导通状况实现封装芯片的检测。


2.如权利要求1所述的晶圆级封装检测方法,其特征在于,步骤S1中,测试焊垫与封装芯片内的集成电路同步设置,测试焊垫不与集成电路连接。


3.如权利要求1所述的晶圆级封装检测方法,其特征在于,步骤S2中,去除测试焊垫上方的硅基底以形成TSV孔,使得TSV孔底部局部或者全部漏出测试焊垫,TSV孔呈现梯形状,其上开口宽度大于下开口宽度。


4.如权利要求1所述的晶圆级封装检测方法,其特征在于,步骤S3中,独立背金块设置在TSV孔的内壁以及边缘上,独立背金块的形成可以为圆形、方形或是多边形。


5.如权利要求1所述的晶圆级封装检测方法,其特征在于,步骤S4中,两测试焊垫通过内部线路相互导通,当测试机台的两...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨佩佩金科李永智赖芳奇吕军
申请(专利权)人:苏州科阳光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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