晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片赋予超声波，将器件芯片上推而拾取该器件芯片。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件。
技术介绍
在用于移动电话或个人计算机等电子设备的器件芯片的制造工序中，首先在由半导体等材料构成的晶片的正面上设定多条交叉的分割预定线(间隔道)。并且，在由该分割预定线划分的各区域内形成IC(IntegratedCircuit：集成电路)、LSI(Large-scaleIntegrationcircuit：大规模集成电路)等器件。然后，将在具有开口的环状的框架上按照封住该开口的方式粘贴的被称为划片带的粘接带粘贴于该晶片的背面上，形成晶片、粘接带以及环状的框架成为一体的框架单元。并且，当沿着该分割预定线对框架单元所包含的晶片进行加工而分割时，形成各个器件芯片。在晶片的分割中例如使用切削装置。切削装置具有隔着粘接带而对晶片进行保持的卡盘工作台、对晶片进行切削的切削单元等。切削单元具有：切削刀具，其具有圆环状的磨具部；以及主轴，其穿过该切削刀具的中央的贯通孔，使切削刀具旋转。在对晶片进行切削时，将框架单元载置于卡盘工作台上，隔着粘接带而将晶片保持于卡盘工作台上，通过使主轴旋转而使切削刀具旋转，使切削单元下降至规定的高度位置。然后，使卡盘工作台和切削单元沿着与卡盘工作台的上表面平行的方向相对移动，通过切削刀具沿着分割预定线对晶片进行切削。于是，对晶片进行分割。然后，将框架单元从切削装置搬出，实施对粘接带照射紫外线等处理而使粘接带的粘接力降低，并对器件芯片进行拾取。作为器件芯片的生产效率较高的加工装置，已知有能够利用一个装置连续地实施晶片的分割和对粘接带的紫外线照射的切削装置(参照专利文献1)。从粘接带上拾取的器件芯片被安装于规定的布线基板等。专利文献1：日本特许第3076179号公报粘接带包含基材层和配设在该基材层上的糊料层。在切削装置中，为了可靠地对晶片进行分割，按照使切削刀具的下端到达比晶片的下表面低的位置的方式将切削单元定位于规定的高度。因此，对晶片进行切削的切削刀具也对粘接带的糊料层进行切削。因此，在晶片的切削时，产生源自于晶片的切削屑以及源自于糊料层的切削屑。在晶片的切削时，对晶片及切削刀具提供切削液，但因切削而产生的该切削屑被取入该切削液而在晶片的正面上扩展。这里，源自于糊料层的切削屑容易再次附着于器件的正面上，并且也不容易利用之后的晶片的清洗工序等去除。因此，当附着有源自于糊料层的切削屑时，器件芯片的品质降低成为问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，切削屑不附着于器件的正面上，抑制器件芯片的品质降低。根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在该晶片的背面和该框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使该晶片和该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，在该聚酯系片的与各器件芯片对应的各个区域中，对该聚酯系片赋予超声波，从该聚酯系片侧将该器件芯片上推，从该聚酯系片拾取该器件芯片。优选在该一体化工序中，通过红外线的照射来实施该热压接。另外，优选在该一体化工序中，在实施了一体化之后，将从该框架的外周探出的聚酯系片去除。另外，优选在该拾取工序中，对该聚酯系片进行扩展而使各器件芯片之间的间隔扩展。另外，优选该聚酯系片是聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意片。另外，优选在该一体化工序中，在该聚酯系片为该聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下，加热温度为250℃～270℃，在该聚酯系片为该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下，加热温度为160℃～180℃。另外，优选该晶片由Si、GaN、GaAs、玻璃中的任意材料构成。在本专利技术的一个方式的晶片的加工方法中，在形成框架单元时，不使用具有糊料层的粘接带，而是使用不具有糊料层的聚酯系片使框架和晶片一体化。借助聚酯系片而使框架和晶片一体化的一体化工序通过热压接来实现。在实施了一体化工序之后，通过切削刀具对晶片进行切削而将晶片分割成各个器件芯片。然后，在聚酯系片的与各器件芯片对应的各个区域中，对该聚酯系片赋予超声波，从该聚酯系片侧将该器件芯片上推，从聚酯系片拾取器件芯片。所拾取的器件芯片分别安装于规定的安装对象。另外，当在拾取时对聚酯系片赋予超声波时，聚酯系片的剥离变得容易，因此能够减轻施加至器件芯片的负荷。在对晶片进行切削时，切削刀具也切入至晶片下的聚酯系片，因此产生源自于聚酯系片的切削屑。但是，聚酯系片不具有糊料层，因此即使该切削屑被取入切削水而在晶片的正面上扩散，该切削屑也不附着于晶片，也可经由之后的清洗工序等更可靠地去除。即，根据本专利技术的一个方式，通过热压接能够形成使用了不具有糊料层的聚酯系片的框架单元，在晶片的切削时，不产生粘接力较高的切削屑，从而抑制该切削屑所导致的器件芯片的品质降低。因此，根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，切削屑不附着于器件的正面上，抑制器件芯片的品质降低。附图说明图1是示意性示出晶片的立体图。图2是示意性示出将晶片和框架定位于卡盘工作台的保持面上的情况的立体图。图3是示意性示出聚酯系片配设工序的立体图。图4是示意性示出一体化工序的一例的立体图。图5是示意性示出一体化工序的一例的立体图。图6是示意性示出一体化工序的一例的立体图。图7的(A)是示意性示出将聚酯系片切断的情况的立体图，图7的(B)是示意性示出所形成的框架单元的立体图。图8是示意性示出分割工序的立体图。图9是示意性示出向拾取装置搬入框架单元的立体图。图10的(A)是示意性示出固定于框架支承台上的框架单元的剖视图，图10的(B)是示意性示出拾取工序的剖视图。标号说明1：晶片；1a：正面；1b：背面；3：分割预定线；3a：切削痕；5：器件；7：框架；7a：开口；9：聚酯系片；9a：切断痕；11：框架单元；2：卡盘工作台；2a：保持面；2b、40a：吸引源；2c、40b：切换部；4：热风枪；4a：热风；6：加热辊；8：红外线灯；8a：红外线；10：切割器；12：切削装置；14：切削单元；16：主轴壳体；18：切削刀具；20：切削水提供喷嘴；22：拾取装置；24：鼓；26：框架保持单元；28：夹具；30：框架支承台；32：杆；34：气缸；36：基座；38：上推机构；38a：超声波振子；40：筒夹。具体实施方式参照附图，对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。首先，对利用本实施方式的加工方法进行加工的晶片进行说明。图1是示意性示出晶片1的立体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其特征在于，/n该晶片的加工方法具有如下的工序：/n聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在该晶片的背面和该框架的外周上；/n一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使该晶片和该框架借助该聚酯系片而一体化；/n分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及/n拾取工序，在该聚酯系片的与各器件芯片对应的各个区域中，对该聚酯系片赋予超声波，从该聚酯系片侧将该器件芯片上推，从该聚酯系片拾取该器件芯片。/n

【技术特征摘要】
20180906 JP 2018-1672891.一种晶片的加工方法，将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其特征在于，
该晶片的加工方法具有如下的工序：
聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在该晶片的背面和该框架的外周上；
一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使该晶片和该框架借助该聚酯系片而一体化；
分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及
拾取工序，在该聚酯系片的与各器件芯片对应的各个区域中，对该聚酯系片赋予超声波，从该聚酯系片侧将该器件芯片上推，从该聚酯系片拾取该器件芯片。


2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该一体化工序中，通过红外线的照射来实施该...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田成规，松泽稔，木内逸人，淀良彰，荒川太朗，上里昌充，河村慧美子，藤井祐介，宫井俊辉，大前卷子，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP