一种PI基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种PI基板及其制备方法。其中所述PI基板定义有第一区域和第二区域，其中所述第二区域包括2个或以上数量并且成相互间隔的方式设置在所述第一区域内；其包括玻璃大板基板和其上设置的PI层；其中所述PI层只对应于所述第二区域设置进而使得所述玻璃大板基板上设置的PI层成相互间隔的方式排列。本发明专利技术提供了一种PI基板，其采用新型的结构设计，使得其能够在一定程度上缩减其所需定义的边界区(Border)的区域范围。

A PI substrate and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种PI基板及其制备方法
本专利技术涉及平面显示
，尤其是，其中的一种PI基板及其制备方法。
技术介绍
已知，随着显示技术的不断向前发展，新型的平面显示器也开始全面取代CRT显示器，成为市场上的主流显示设备。平面显示器最开始被市场接受的是平面液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)，其自身的轻、薄等性能，使得其很快被市场接受，并进而获得广泛的推广应用，这同时也使得其市场占有率很高。但随着显示技术的发展，液晶显示器还是存有一定的显示性能上的缺陷，因此，业界也是不断进行新型的平面显示技术的开发，这其中就包括有机发光二极管显示器(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)。其中所述有机发光二极管显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，以及可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，使其在显示领域、照明领域及智能穿戴等领域有着广泛地应用，并有取代液晶显示器的趋势。而其中的AMOLED显示面板因其高对比度、广色域、低功耗、可折叠等特性，逐渐成为新一代主流显示技术。具体来讲，AMOLED显示面板一般为大板设计，在具体应用时，为了将面板(Panel)变为规格设计的形状，需要对其进行“二切”处理。但是通常而言“二切”处理由于精度不高，并且“二切”处理中的切割应力在切割边缘处产生的切割裂纹可能会随着切割应力延伸至面板内部，所以待处理的切割面板上需要定义一个对应于“二切”处理的边界区(Border区)，同时还需要在该区域内做“防断裂(Anticrack)”的设计。相应的，这种待处理面板边缘的切割道与Anticrack的设计，也就使得其预定的边界区的尺寸无法得到有效缩减。
技术实现思路
本专利技术的一个方面是提供一种PI基板，其采用新型的结构设计，使得其能够在一定程度上缩减其所需定义的边界区(Border)的区域范围。本专利技术采用的技术方案如下：一种PI基板，其定义有第一区域和第二区域，其中所述第二区域包括2个或以上数量并且成相互间隔的方式设置在所述第一区域内；其包括玻璃大板基板和其上设置的PI层；其中所述PI层只对应于所述第二区域设置进而使得所述玻璃大板基板上设置的PI层成相互间隔的方式排列。本专利技术采用的这种间隔排列设置多个PI层的方式，也可以说是一种对原整体PI层进行图案化的工艺方式，使得在玻璃基板上设置的PI层，由原本的整体设置形式，变更为根据需要外形尺寸而间隔设置的方式。故而，原本因为后续面板预设尺寸的原因而需要进行的二次切割处理，现在由于对所述PI层的图形化处理使得原本需要进行“二切”来分割的面板尺寸之间彼此并不相接，因此，只需直接从玻璃基板上剥离即可实现，从而在避免进行二次切割处理的同时，相应的，也避免了上述
技术介绍
中提到的因二次切割而带来的种种问题。进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二区域在所述第一区域内成阵列排布，相应的，所述PI层在所述玻璃大板基板上也成阵列式设置。进一步的，在不同实施方式中，其中相邻两所述第二区域上的PI层间的间隔距离在100～500μm范围内。进一步的，在不同实施方式中，其中相邻两所述第二区域上的PI层间的纵向间隔距离在100～500μm范围内。进一步的，在不同实施方式中，其中相邻两所述第二区域上的PI层间的横向间隔距离在100～500μm范围内。进一步的，在不同实施方式中，其中所述PI基板还定义有第三区域，其设置在所述第一区域内并与所述第二区域间隔设置，其中所述第三区域内的玻璃大板基板上对应设置有第三区域PI层。进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二区域上设置的PI层用于后续显示面板的制备；而所述第三区域上设置的PI层用于后续设置面板测试组件功能层(TestElementGroup，TEG)。而在其他实施方式中，所述第三区域上设置的PI层也可以是用于设置其他与显示面板关联的外接功能层，并无限定；甚至于，所述玻璃大板基板上还可以根据需要定义第四区域、第五区域等等，这些区域上可设置各种设置于PI层上的器件功能层，同时由于其底下的PI层与所述玻璃大板基板上设置的显示面板区域的PI层相分隔，因此也能避免后续如
技术介绍
描述的因玻璃大板基板上设置的PI层为一层整体设置而必须的“二次切割”制程。进一步的，本专利技术的又一方面是提供一种本专利技术涉及的所述PI基板的制备方法，其包括以下步骤：步骤S1、提供一玻璃大板基板，其定义有第一区域和第二区域；其中所述第二区域包括2个或以上数量，并且成相互间隔的方式设置在所述第一区域内；在所述玻璃大板基板上形成一层整体设置的PI层；步骤S2、通过光罩对所述PI层进行图案化处理，使得所述整层PI层在经过曝光、显影和刻蚀后仅保留设置在所述第二区域位置上的PI层。进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S2中，其中所述光罩包括本体，所述本体上设置有间隔设置的遮蔽区，这些遮蔽区之间为透光区，其中所述遮蔽区对应于所述玻璃基板上的第二区域。进一步的，在不同实施方式中，其中所述遮蔽区之间的间隔间距在100～500μm范围内。相对于现有技术，本专利技术的有益效果是：本专利技术涉及的一种PI基板及其制备方法，其采用新型的PI层工艺，通过增加PI层图案化处理工艺，利用光罩曝光、显影以及刻蚀，使得本来对应在后续形成的显示面板(Panel)下方原一层整体设置的PI层，变为各所述显示面板下方设置的PI层与大板外围的玻璃大板基板上设置的PI层相互间隔分离，这样，在后续显示面板模组半板LLO工艺之后，就可以直接进行各显示面板与其所在玻璃大板基板之间的剥离，从而不需要进行二切。如此，在设定的BorderSpec下，因不需要预设切割道以及相应的防断裂结构而可以使电路的布局(Layout)空间更充裕，同时还可以大大缩减边界区(Border)尺寸，实现了所述显示面板的窄边框设计。进一步的，这一增加的对一层整体PI层的图形化处理工艺不仅是可以对边界区(Border)的设计有上述好处；而且由于设置在所述玻璃大板基板上的PI层间的相互分隔设置，使得后续形成在这些间隔设置的PI层上的显示面板与所在玻璃大板基板之间可通过直接剥离的方式分离，因此，也就不需在通过后续的“二切”制程进行分割行，而由于不需要进行“二切”制程，相应的，也就不存在切割精度问题的影响。此外，在半板LLO工艺直接剥离后，也可以避免因切割导致的裂片问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术的一个实施方式中提供的一种PI基板的结构示意图；以及图2是图1的局部放大图。具体实施方式以下将结合附图和实施例，对本专利技术涉及的一种PI基板及其制备方法的技术方案作进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PI基板；其特征在于，其定义有第一区域和第二区域，其中所述第二区域包括2个或以上数量并且成相互间隔的方式设置在所述第一区域内；其包括玻璃大板基板和其上设置的PI层；/n其中所述PI层只对应于所述第二区域设置进而使得所述玻璃大板基板上设置的PI层成相互间隔的方式排列。/n

【技术特征摘要】
1.一种PI基板；其特征在于，其定义有第一区域和第二区域，其中所述第二区域包括2个或以上数量并且成相互间隔的方式设置在所述第一区域内；其包括玻璃大板基板和其上设置的PI层；
其中所述PI层只对应于所述第二区域设置进而使得所述玻璃大板基板上设置的PI层成相互间隔的方式排列。


2.根据权利要求1所述的PI基板；其特征在于，其中所述第二区域在所述第一区域内成阵列排布，所述PI层在所述玻璃大板基板上也对应成阵列式设置。


3.根据权利要求1所述的PI基板；其特征在于，其中相邻两所述第二区域上的PI层间的间隔距离在100～500μm范围内。


4.根据权利要求3所述的PI基板；其特征在于，其中相邻两所述第二区域上的PI层间的纵向间隔距离在100～500μm范围内。


5.根据权利要求3所述的PI基板；其特征在于，其中相邻两所述第二区域上的PI层间的横向间隔距离在100～500μm范围内。


6.根据权利要求1所述的PI基板；其特征在于，其还定义有第三区域，其设置在所述第一区域内并与所述第二区域间隔设置，其中所述第三区...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭宁昆，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42