一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法，首先利用多晶Ge薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在N

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的有效制备方法，尤其是涉及一种对Ge/Si键合界面进行高温热退火而不产生新气泡且能释放剥离Ge薄膜中不均匀压应变和修复剥离Ge薄膜中点缺陷的高质量SOI基Ge薄膜制备新方法。
技术介绍
在过去的几十年中，传统的外延技术在半导体制备工艺中占据关键的地位，这主要是由于外延技术能实现大规模单晶薄膜的外延生长。采用同质外延获得的外延薄膜的晶体质量接近于体材料的晶体质量，然而对于异质外延来说，由于材料间晶格失配的存在，在异质外延过程中会在外延薄膜中形成失配位错和穿透位错。对于晶格中等失配的材料Ge和Si来说，由于材料之间存在4.2%的晶格失配，在Si基上外延Ge薄膜时往往会在Ge薄膜中形成高密度的穿透位错（107-109cm-2），导致器件暗电流的上升，虽然目前采用一些改进的外延方法可以将Ge薄膜中的穿透位错密度降低到106cm-2数量级，但是目前外延器件的暗电流比采用体Ge制备的器件的暗电流还高出2~3个数量级，因此需要将Ge薄膜中的穿透位错密度进一步降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）SOI片和Ge片分别用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗10~15 min，去除基底表面吸附颗粒物和有机物；/n2）经上述1）步骤清洗完的Ge片采用体积配比为HF:H

【技术特征摘要】
1.一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）SOI片和Ge片分别用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗10~15min，去除基底表面吸附颗粒物和有机物；
2）经上述1）步骤清洗完的Ge片采用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4min，去离子水冲洗10~15次；
3）经上述2）步骤冲洗完的Ge片采用PECVD生长90nm的SiO2保护层；
4）经上述3）步骤生长完SiO2保护层的Ge片采用离子注入机进行H+注入；
5）经上述4）步骤离子注入完的Ge片采用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡10min去除SiO2保护层，去离子水冲洗10~15次；
6）经上述5）步骤冲洗完的Ge片分别用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗10~15min，去除基底表面吸附颗粒物和有机物；
7）经上述6）步骤清洗完的Ge片采用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4min，去离子水冲洗10~15次；
8）经上述1）步骤清洗完的SOI片，先用体积配比为H2SO4:H2O2=4:1的溶液煮沸10~15min，去离子水冲洗10~15次，再将SOI片用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4min，去离子水冲洗10~15次；
9）经上述8）步骤处理完的SOI片，先用体积配比为NH4OH:H2O2:H2O=1:1:4的溶液煮沸10~15min，去离子水冲洗10~15次，再将SOI片用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4min，去离子水冲洗10~15次；
10）经上述9）步骤处理完的SOI片，先用体积配比为HCl:H2O2:H2O=1:1:4的溶液煮沸10~15min，去离子水冲洗10~15次，再将SOI...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯少颖，陈松岩，黄东林，周锦荣，
申请(专利权)人：闽南师范大学，厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35