LED晶片的加工方法技术

技术编号:23163192 阅读:43 留言:0更新日期:2020-01-21 22:16
提供LED晶片的加工方法,实现LED芯片的亮度的提高。该LED晶片的加工方法包含如下的工序:分割工序,将以能够旋转的方式安装有具有第一宽度的第一切削刀具的第一切削单元与保持着LED晶片的保持工作台相对地进行加工进给,对分割预定线进行切削而形成分割槽,从而将LED晶片分割成各个LED芯片;以及研磨工序,将以能够旋转的方式安装有具有比第一宽度宽的第二宽度的第二切削刀具的第二切削单元与保持着LED晶片的保持工作台相对地进行加工进给,对分割预定线上所形成的分割槽的侧面进行研磨而形成研磨槽。

Processing method of LED chip

【技术实现步骤摘要】
LED晶片的加工方法
本专利技术涉及LED晶片的加工方法,将在蓝宝石基板的上表面上形成有多个LED的晶片分割成各个LED芯片。
技术介绍
LED晶片在蓝宝石基板的上表面上在由相互交叉的多条分割预定线划分的各区域内形成有LED,该LED晶片通过激光加工装置被分割成各个LED芯片,分割得到的LED芯片被用于移动电话、照明设备等电子设备。通常蓝宝石的硬度较高,在使用切削刀具的切削装置中花费时间,难以高效地对LED晶片进行分割而生成各个分割得到的LED芯片,因此实施使用激光加工装置分割成LED芯片的方法。作为实现蓝宝石基板的加工的激光加工装置,存在如下的类型:将对于蓝宝石具有吸收性的波长的激光光线照射至蓝宝石基板而对分割预定线实施烧蚀加工,形成分割槽的类型(例如,参照专利文献1);将对于蓝宝石具有透过性的波长的激光光线照射至蓝宝石基板而在分割预定线的内部形成作为分割起点的改质层,对蓝宝石基板赋予外力而进行分割的类型(例如,参照专利文献2),能够将晶片分割成各个LED芯片。专利文献1:日本特开平10-305420号公报专利文献2:日本特许第3408805号公报根据上述的激光加工装置,与使用切削刀具的加工相比,能够将由蓝宝石基板构成的LED晶片高效地分割成各个LED芯片。但是,存在如下的问题:分割得到的LED芯片的侧面由于激光光线的照射而发生变质,该发生了变质的侧面会使LED芯片的亮度降低。
技术实现思路
由此,本专利技术的目的在于提供LED晶片的加工方法,实现LED芯片的亮度的提高。根据本专利技术,提供LED晶片的加工方法,将在蓝宝石基板的上表面上的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内形成有LED的LED晶片分割成各个LED芯片,其中,该LED晶片的加工方法具有如下的工序:切削刀具准备工序,准备具有环状的第一切刃的第一切削刀具和具有环状的第二切刃的第二切削刀具,该第一切刃由具有第一粒径的金刚石磨粒构成并且具有第一宽度,该第二切刃由具有比第一粒径小的第二粒径的金刚石磨粒构成并且具有比第一宽度宽的第二宽度;分割工序,将以能够旋转的方式安装有该第一切削刀具的第一切削单元与保持着LED晶片的保持工作台相对地进行加工进给,对分割预定线进行切削而形成分割槽,将LED晶片分割成各个LED芯片;以及研磨工序,在实施了该分割工序之后,将以能够旋转的方式安装有该第二切削刀具的第二切削单元与保持着LED晶片的该保持工作台相对地进行加工进给,对分割预定线上所形成的分割槽的侧面进行研磨而形成研磨槽。优选在该分割工序中,使该第一切削刀具的切入深度阶段性地加深而对分割预定线进行切削。优选构成该第一切削刀具的金刚石磨粒的平均粒径为#300~#500,构成该第二切削刀具的金刚石磨粒的平均粒径为#1800~#2200。优选该第一切削刀具的宽度为0.15mm~0.24mm,该第二切削刀具的宽度为0.25mm~0.34mm。更优选本专利技术的LED晶片的加工方法还包含如下的工序:V形状切削刀具准备工序,准备切刃的前端部形成为V形状的V形状切削刀具;以及倒角加工工序,将以能够旋转的方式安装有该V形状切削刀具的切削单元与保持着背面露出的LED晶片的保持工作台相对地进行加工进给,在LED晶片的背面的与分割预定线对应的位置实施倒角加工。优选在该V形状切削刀具准备工序中,准备切刃的前端部所成的角度不同的多个V形状切削刀具,在该倒角加工工序中,通过该多个V形状切削刀具实施该倒角加工。优选在该V形状切削刀具准备工序中所准备的V形状切削刀具有三种,该V形状切削刀具的切刃的前端部所成的角度为110°~130°、80°~100°以及50°~70°这三种。另外,构成该V形状切削刀具的金刚石磨粒的平均粒径可以为#1800~#2200。优选在该倒角加工工序中,按照每个该V形状切削刀具,使切入深度阶段性地加深,多次沿着与相同的分割预定线相对应的位置实施倒角加工。在该倒角加工工序中阶段性地加深时的切入深度可以为0.04mm~0.06mm。根据本专利技术,能够将难以通过切削刀具切断的LED晶片通过切削刀具分割成各个LED芯片,并且各个分割得到的LED芯片的侧面未发生变质,因此与通过激光加工分割得到的LED芯片相比,能够提高亮度。另外,利用切刃的前端部形成为V形状的V形状切削刀具在LED晶片的背面的与分割预定线相对应的位置实施倒角加工,从而能够实现亮度的提高。附图说明图1是示出将LED晶片支承于支承基板而构成一体化单元的方式的立体图。图2是示出将图1所示的一体化单元保持于切削装置的保持工作台上的方式的立体图。图3是示出切削刀具准备工序以及将切削刀具安装于主轴的方式的立体图。图4是示出分割工序的实施方式的立体图。图5的(a)是示出通过图4所示的分割工序进行了分割的LED晶片的立体图,图5的(b)是已被分割的LED晶片的局部放大侧视图。图6的(a)是示出研磨工序的实施方式的立体图,图6的(b)是已被研磨的LED晶片10的局部放大侧视图。图7是示出V形状切削刀具准备工序以及将V形状切削刀具安装于主轴的方式的立体图。图8是示出支承基板转移工序的立体图。图9是示出在支承基板转移工序中将支承基板剥离的方式的立体图。图10是示出倒角工序的实施方式的立体图。图11的(a)是通过第一V形状切削刀具进行了倒角的LED晶片的局部放大侧视图,图11的(b)是通过第一V形状切削刀具以及第二V形状切削刀具进行了倒角的LED晶片的局部放大侧视图,图11的(c)是通过第一V形状切削刀具、第二V形状切削刀具以及第三V形状切削刀具进行了倒角的LED晶片的局部放大侧视图。标号说明10:LED晶片;12:分割预定线;14:LED;14’:LED芯片;16:定向平面(取向平面);20、22:支承基板;30:一体化单元;40:切削装置;42:保持工作台;50:主轴单元;52:主轴壳体;54:主轴;56:固定螺母;60A:第一切削单元;60B:第二切削单元;61:第一切削刀具;61a:第一切刃;62:第二切削刀具;62a:第二切刃;99:凹槽;100:分割槽;100a:分割面;102:研磨槽;120a:研磨面;103:倒角部;103a:第一倒角部;103b:第二倒角部;103c:第三倒角部。具体实施方式以下,参照附图对本专利技术的实施方式的LED晶片的加工方法进行详细的说明。首先,在实施本实施方式的LED晶片的加工方法时,如图1所示那样,准备作为被加工物的LED晶片10。在本实施方式中准备的LED晶片10在厚度为0.45mm的蓝宝石基板的上表面上层叠有GaN层,在该GaN层上在由相互交叉的多条分割预定线12划分的区域内形成有多个LED14。在LED晶片10的外周形成有表示晶体取向的水平部即所谓的定向平面16。形成有LED14的一侧是正面10a,相反的一侧是背面10b。若准备了上述的LED晶片10,则如图1所示,准备比LED晶片10略大的圆板形状的支承基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED晶片的加工方法,将在蓝宝石基板的上表面上的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内形成有LED的LED晶片分割成各个LED芯片,其中,/n该LED晶片的加工方法具有如下的工序:/n切削刀具准备工序,准备具有环状的第一切刃的第一切削刀具和具有环状的第二切刃的第二切削刀具,该第一切刃由具有第一粒径的金刚石磨粒构成并且具有第一宽度,该第二切刃由具有比第一粒径小的第二粒径的金刚石磨粒构成并且具有比第一宽度宽的第二宽度;/n分割工序,将以能够旋转的方式安装有该第一切削刀具的第一切削单元与保持着LED晶片的保持工作台相对地进行加工进给,对分割预定线进行切削而形成分割槽,将LED晶片分割成各个LED芯片;以及/n研磨工序,在实施了该分割工序之后,将以能够旋转的方式安装有该第二切削刀具的第二切削单元与保持着LED晶片的该保持工作台相对地进行加工进给,对分割预定线上所形成的分割槽的侧面进行研磨而形成研磨槽。/n

【技术特征摘要】
20180713 JP 2018-1335531.一种LED晶片的加工方法,将在蓝宝石基板的上表面上的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内形成有LED的LED晶片分割成各个LED芯片,其中,
该LED晶片的加工方法具有如下的工序:
切削刀具准备工序,准备具有环状的第一切刃的第一切削刀具和具有环状的第二切刃的第二切削刀具,该第一切刃由具有第一粒径的金刚石磨粒构成并且具有第一宽度,该第二切刃由具有比第一粒径小的第二粒径的金刚石磨粒构成并且具有比第一宽度宽的第二宽度;
分割工序,将以能够旋转的方式安装有该第一切削刀具的第一切削单元与保持着LED晶片的保持工作台相对地进行加工进给,对分割预定线进行切削而形成分割槽,将LED晶片分割成各个LED芯片;以及
研磨工序,在实施了该分割工序之后,将以能够旋转的方式安装有该第二切削刀具的第二切削单元与保持着LED晶片的该保持工作台相对地进行加工进给,对分割预定线上所形成的分割槽的侧面进行研磨而形成研磨槽。


2.根据权利要求1所述的LED晶片的加工方法,其中,
在该分割工序中,使该第一切削刀具的切入深度阶段性地加深而对分割预定线进行切削。


3.根据权利要求1或2所述的LED晶片的加工方法,其中,
构成该第一切削刀具的金刚石磨粒的平均粒径为#300~#500,构成该第二切削刀具的金刚石磨粒的平均粒径为#1800~#2200。


4.根据权利要求1所述的LED晶片的加工方法,其中,
该第一切削刀具的宽度为0.15mm~0.24mm,该...

【专利技术属性】
技术研发人员:大前卷子
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:日本;JP

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