一种图形化划道消除Ge/Si键合界面气泡的方法技术

本发明专利技术公开了一种图形化划道消除Ge/Si键合界面气泡的方法，首先采用砂轮划片机在晶片表面切割出宽度为微米级等间距的凹槽，其次在Si片和Ge片表面生长一层a‑Ge作为键合中间层，通过切割出的凹槽实现退火过程中形成的副产物的有效排出，避免副产物的堆积。

A method of eliminating bubbles in Ge / Si bonding interface by graphing trace

【技术实现步骤摘要】
一种图形化划道消除Ge/Si键合界面气泡的方法
本专利技术涉及一种低温Ge/Si键合界面气泡消除方法，尤其是涉及一种利用砂轮划片机切割出的图形化微米级副产物排泄道实现Ge/Si键合界面副产物的排出，从而获得无气泡的Ge/Si键合界面新方法。
技术介绍
在过去几十年中，薄膜制备工艺以外延技术为主导，采用外延技术可以实现晶格匹配的高质量薄膜的生长。然而对于大晶格失配材料的异质外延来说，由于材料晶格不匹配，因此在高温异质外延过程中会在外延薄膜中形成高密度的穿透位错。对于Ge/Si外延体系来说，Ge和Si之间存在4.2%的晶格失配，因此在Si上外延Ge薄膜也会在Ge薄膜中形成高密度的穿透位错。虽然目前研究人员采用诸多改进的外延技术来限制位错的传播和相互作用，从而降低Ge薄膜中的穿透位错密度，然而由于无法避免晶格失配带来的外延技术瓶颈，因此目前Ge薄膜中的穿透位错密度很难降低到106cm-2以下。为了制备低位错密度的Si基Ge薄膜材料，研究人员尝试采用Ge/Si异质键合来实现Si基Ge薄膜的异质混合集成。近年来，Byun等人和Gity等人采用等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图形化划道消除Ge/Si键合界面气泡的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将Si片的背面黏附于蓝膜上，将蓝膜加热到50 ℃，保持5~10 min，采用砂轮划片机在Si片正面切割出厚度为微米级的等间距划道；/n2）经上述1）步骤处理后的Si片和Ge片分别用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗10~15 min，去除基底表面吸附颗粒物和有机物；/n3）经上述2）步骤清洗后的Si片，先用体积配比为H

【技术特征摘要】
1.一种图形化划道消除Ge/Si键合界面气泡的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将Si片的背面黏附于蓝膜上，将蓝膜加热到50℃，保持5~10min，采用砂轮划片机在Si片正面切割出厚度为微米级的等间距划道；
2）经上述1）步骤处理后的Si片和Ge片分别用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗10~15min，去除基底表面吸附颗粒物和有机物；
3）经上述2）步骤清洗后的Si片，先用体积配比为H2SO4:H2O2=4:1的溶液煮沸10~15min，去离子水冲洗10~15次，再将Si片用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4min，去离子水冲洗10~15次；
4）经上述2）步骤清洗后的Ge片用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4min，去离子水冲洗10~15次；
5）经上述3）步骤处理后的Si片先用体积配比为NH4OH:H2O2:H2O=1:1:4的溶液煮沸10~15min，去离子水冲洗10~15次，再将Si片用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4min，去离子水冲洗10~15次；
6）经上述5）步骤处理后的Si片先用体积配比为HCl:H2O2:H2O=1:1:4的溶液煮沸10~15min，去离子水冲洗1...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯少颖，陈松岩，黄东林，周锦荣，
申请(专利权)人：闽南师范大学，厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35