【技术实现步骤摘要】
芯片切割的方法和芯片
本申请实施例涉及芯片
,并且更具体地,涉及一种芯片切割的方法和芯片。
技术介绍
为了解决芯片顶部的散热问题,通常在芯片背面制作金属镀层(BacksideMetallization,BSM),从而通过该金属镀层实现散热。但是,该金属镀层可能导致芯片在切割过程中产生边缘毛刺,从而引起芯片管脚(pin)之间的短路,甚至可能导致芯片烧毁。
技术实现思路
本申请实施例提供一种芯片切割的方法和芯片,能够避免芯片在切割过程中产生边缘毛刺。第一方面,提供了一种芯片切割的方法,包括:在待切割的多个芯片上制作金属镀层;在具有金属镀层的所述多个芯片中相邻两排芯片之间的区域,制作多个缓冲槽;基于所述多个缓冲槽所在的区域,在所述两排芯片之间制作切割道;利用切割工具沿所述切割道,进行芯片切割。在一种可能的实现方式中,所述切割道位于所述多个缓冲槽所在的区域。在一种可能的实现方式中,所述缓冲槽平行于每排芯片中的芯片排列方向。在一种可能的实现方式中,所述缓冲槽的宽度小于所述切割道 ...
【技术保护点】
1.一种芯片切割的方法,其特征在于,所述方法包括:/n在待切割的多个芯片上制作金属镀层;/n在具有金属镀层的所述多个芯片中相邻两排芯片之间的区域,制作多个缓冲槽;/n基于所述多个缓冲槽所在的区域,在所述两排芯片之间制作切割道;/n利用切割工具沿所述切割道,进行芯片切割。/n
【技术特征摘要】
1.一种芯片切割的方法,其特征在于,所述方法包括:
在待切割的多个芯片上制作金属镀层;
在具有金属镀层的所述多个芯片中相邻两排芯片之间的区域,制作多个缓冲槽;
基于所述多个缓冲槽所在的区域,在所述两排芯片之间制作切割道;
利用切割工具沿所述切割道,进行芯片切割。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述切割道位于所述多个缓冲槽所在的区域。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述缓冲槽平行于每排芯片中的芯片排列方向。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述缓冲槽的宽度小于所述切割道的宽度。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在具有金属镀层的所述多个芯片中相邻两排芯片之间的区域,制作多个缓冲槽,包括:
利用激光在相邻的所述两排芯片之间的区域,制作所述多个缓冲槽。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述多个缓冲槽所在的区域,在所述两排芯片之间制作切割道,包括:
基于所述多个缓冲槽所在的区域,利用激光在所述两排芯片之间制作所述切割道。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多个缓冲槽等间隔分布。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述间隔位于15微米至25微米之间。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多个缓冲槽非等间隔分布。
10.根据权利要求9所述的方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹流圣,周涛,孙永刚,苏丹,
申请(专利权)人:北京比特大陆科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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