晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，在对晶片的背面进行加工时，不会使器件的生产率、品质下降。该晶片的加工方法包含如下的工序：晶片配设工序，在上表面形成为平坦的支承工作台(40)的上表面上敷设尺寸大于或等于晶片(10)的形状的聚烯烃类片材(20)或聚酯类片材(20)中的任意片材，将晶片(10)的正面(10a)定位于片材(20)的上表面(20a)而进行配设；片材热压接工序，在密闭环境内对隔着片材(20)配设在支承工作台(40)上的晶片(10)进行减压并对片材(20)进行加热，按压晶片(10)而将晶片(10)压接于片材(20)，并且在晶片(10)的外周形成围绕晶片(10)的鼓出部(22)；背面加工工序，对晶片(10)的背面(10b)实施加工；以及剥离工序，将晶片(10)从片材(20)剥离。

Wafer processing method

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及对晶片的背面进行加工的晶片的加工方法。
技术介绍
由互相交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片在通过磨削装置对背面进行磨削而加工成规定的厚度之后，通过切割装置(划片机)分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被应用于移动电话、个人计算机等电子设备。磨削装置包含：卡盘工作台，其具有对晶片进行保持的保持面；磨削单元，其以能够旋转的方式具有对保持于该卡盘工作台的晶片的上表面进行磨削的磨削磨轮；以及进给构件，其对磨削磨具进行磨削进给，该磨削装置能够将晶片磨削成期望的厚度(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2005-246491号公报在通过磨削装置对晶片的背面进行磨削时，有时在晶片的正面侧粘贴具有粘合层的保护带，以使得形成于晶片的正面的多个器件不会因卡盘工作台的保持面与晶片的正面的接触而刮伤。但是，存在如下的问题：当在晶片的正面配设保护带并载置在卡盘工作台上而通过磨削装置进行磨削时，会在磨削进给方向(上下方向)和水平方向上施加较强的负荷，晶片相对于配置在晶片的正面的保护带发生偏移而损伤晶片。特别是在形成于晶片的正面的器件上形成有多个被称为凸块的突起电极的情况下，晶片的正面与保护带之间的接触面积比较小，晶片未被保护带稳定地支承，容易产生上述问题。此外，在磨削结束而将保护带从晶片的正面剥离时，还存在粘贴保护带时使用的胶料、蜡等附着并残留于该凸块而使器件的品质下降的问题，通过追加将这些胶料、蜡等去除的工序，会导致生产率也下降。另外，还提出了代替保护带而在晶片的正面涂布液态树脂，形成树脂层而对晶片的正面进行保护的方案，但将液态树脂从晶片的正面完全去除要花费工夫，在器件的品质、生产率上仍然会产生问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，在对晶片的背面进行加工时不会使器件的生产率、品质下降。根据本专利技术，提供晶片的加工方法，对由互相交叉的多条分割预定线划分而在正面形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：晶片配设工序，在上表面形成为平坦的支承工作台的该上表面上敷设尺寸大于或等于晶片的形状的聚烯烃类片材或聚酯类片材中的任意片材，将晶片的正面定位于该片材的上表面而进行配设；片材热压接工序，在实施了该晶片配设工序之后，在密闭环境内对隔着该片材配设在该支承工作台上的晶片进行减压并对该片材进行加热，按压晶片而将晶片压接于该片材，并且在该晶片的外周形成围绕该晶片的鼓出部；背面加工工序，在实施了该片材热压接工序之后，对晶片的背面实施加工；以及剥离工序，在实施了该背面加工工序之后，将晶片从该片材剥离。优选该支承工作台包含加热构件，在该片材热压接工序中，利用该加热构件对该支承工作台进行加热。另外，优选该支承工作台的上表面被氟树脂包覆。优选在该背面加工工序中，实施对晶片的背面进行磨削的磨削加工。优选在选择聚烯烃类的片材作为该片材的情况下，该片材热压接工序中的该片材的加热温度在该片材由聚乙烯片材构成的情况下为120℃～140℃，在该片材由聚丙烯片材构成的情况下为160℃～180℃，在该片材由聚苯乙烯片材构成的情况下为220℃～240℃。优选该聚酯类的片材由聚对苯二甲酸乙二醇酯片材和聚萘二甲酸乙二醇酯片材中的任意片材构成。优选在选择聚酯类的片材作为该片材的情况下，该片材热压接工序中的该片材的加热温度在该片材由聚对苯二甲酸乙二醇酯片材构成的情况下为250℃～270℃，在该片材由聚萘二甲酸乙二醇酯片材构成的情况下为160℃～180℃。根据本专利技术，晶片被片材以充分的支承力支承，即使对晶片的背面实施加工，晶片也不会破损。另外，即使在器件的正面上形成有多个凸块的情况下，也能将该凸块埋设到片材中而可靠地进行支承，背面加工工序时的应力分散而解决了晶片破损的问题。此外，根据本专利技术的加工方法，由于通过将晶片热压接于该片材而进行一体化，因此在背面加工工序结束之后，即使将该片材从晶片的背面剥离，也不会产生胶料、蜡、液态树脂等残留于凸块的问题，解决了器件的品质下降的问题。附图说明图1的(a)和(b)是示出晶片配设工序的实施方式的分解立体图。图2的(a)、(b)和(c)是示出片材热压接工序的实施方式的侧视图。图3是通过图2所示的片材热压接工序得到的一体化单元的侧视图和局部放大剖视图。图4的(a)和(b)是示出本实施方式的背面加工工序的实施方式的立体图。图5的(a)和(b)是示出剥离工序的立体图。图6的(a)是示出片材热压接工序的其他实施方式的立体图，图6的(b)是示出片材热压接工序的其他实施方式的局部放大剖视图。标号说明10：晶片；12：器件；14：分割预定线；16：凸块；20：片材；22：鼓出部；40：支承工作台；42：电加热器；50：基台；52：吸引孔；60：热压接装置；62：密闭罩部件；64：按压部件；64a：按压板；70：磨削装置；71：卡盘工作台；72：磨削单元；74：旋转主轴；78：磨削磨轮；80：剥离用卡盘工作台；100：膜状部件；110：辊。具体实施方式以下，参照附图来详细说明基于本专利技术而构成的对晶片的背面进行加工的加工方法的实施方式。在实施本实施方式的晶片的加工方法时，首先，如图1的(a)所示，准备作为被加工物的晶片10和片材20。在晶片10的正面10a上通过分割预定线14划分而形成有多个器件12。片材20至少设定为大于或等于晶片10的形状的尺寸，由聚烯烃类片材或聚酯类片材构成。在本实施方式中，选择了聚烯烃类的聚乙烯(PE)片材作为片材20。(晶片配设工序)若准备了晶片10和片材20，则如图1的(a)所示，使晶片10的背面10b朝向上方(即，使正面10a朝向下方)而配设在敷设于支承工作台40的上表面的片材20的上表面20a上(参照图1的(b))。支承工作台40配设在基台50上，支承工作台40的上表面形成为平坦，被氟树脂包覆。(片材热压接工序)若实施了上述晶片配设工序，则实施图2所示的片材热压接工序。片材热压接工序是如下的工序：在密闭环境内对配设于片材20的晶片10进行减压并对片材20进行加热，并且按压晶片10而将晶片10和片材20热压接。另外，在支承工作台40的内部内置有电加热器42和未图示的温度传感器作为加热构件。电加热器42和该温度传感器与未图示的控制装置和电源连接，能够将支承工作台40调整为期望的温度。以下进行具体说明。为了实施片材热压接工序，使用图2的(a)所示的热压接装置60。热压接装置60具有用于形成包含支承工作台40在内的密闭环境的密闭罩部件62。另外，图2是热压接装置60的侧视图，但为了便于说明内部结构，仅示出了密闭罩部件62的截面。密闭罩部件62是覆盖基台50的整个上表面的箱型部件，由上壁62a和从上壁62a的外周端部垂下的侧壁62b构成，下方侧是开放的。在上壁62a的中央形成有用于供按压部件64的支承轴64a贯通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，对由互相交叉的多条分割预定线划分而在正面形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：/n晶片配设工序，在上表面形成为平坦的支承工作台的该上表面上敷设尺寸大于或等于晶片的形状的聚烯烃类片材或聚酯类片材中的任意片材，将晶片的正面定位于该片材的上表面而进行配设；/n片材热压接工序，在实施了该晶片配设工序之后，在密闭环境内对隔着该片材配设在该支承工作台上的晶片进行减压并对该片材进行加热，按压晶片而将晶片压接于该片材，并且在该晶片的外周形成围绕该晶片的鼓出部；/n背面加工工序，在实施了该片材热压接工序之后，对晶片的背面实施加工；以及/n剥离工序，在实施了该背面加工工序之后，将晶片从该片材剥离。/n

【技术特征摘要】
20180619 JP 2018-1160151.一种晶片的加工方法，对由互相交叉的多条分割预定线划分而在正面形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：
晶片配设工序，在上表面形成为平坦的支承工作台的该上表面上敷设尺寸大于或等于晶片的形状的聚烯烃类片材或聚酯类片材中的任意片材，将晶片的正面定位于该片材的上表面而进行配设；
片材热压接工序，在实施了该晶片配设工序之后，在密闭环境内对隔着该片材配设在该支承工作台上的晶片进行减压并对该片材进行加热，按压晶片而将晶片压接于该片材，并且在该晶片的外周形成围绕该晶片的鼓出部；
背面加工工序，在实施了该片材热压接工序之后，对晶片的背面实施加工；以及
剥离工序，在实施了该背面加工工序之后，将晶片从该片材剥离。


2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该支承工作台包含加热构件，在该片材热压接工序中，利用该加热构件对该支承工作台进行加热。


3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该支承工作台的上表面被氟树脂包覆。

【专利技术属性】
技术研发人员：木内逸人，山本敬祐，木村泰一朗，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP