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本发明公开了一种图形化划道消除Ge/Si键合界面气泡的方法，首先采用砂轮划片机在晶片表面切割出宽度为微米级等间距的凹槽，其次在Si片和Ge片表面生长一层a‑Ge作为键合中间层，通过切割出的凹槽实现退火过程中形成的副产物的有效排出，避免副产物...
该专利属于闽南师范大学;厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过闽南师范大学;厦门大学授权不得商用。

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