加工基板的方法技术

本发明专利技术涉及加工基板(W)的方法。基板(W)具有一个面(1)和与该面(1)相反的面(6)。基板(W)在所述面(1)上或者在与该面(1)相反的面(6)上具有至少一个凹部(7)。该方法包括：提供保护膜(4)，并将保护膜(4)施加至基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面上，使得保护膜(4)的正表面(4a)的至少中央区域与基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面直接接触。该方法还包括：向保护膜(4)施加压力，使得保护膜(4)沿所述至少一个凹部(7)的深度的至少一部分进入凹部(7)中；以及对基板(W)的所述面(1)和/或与该面(1)相反的面(6)进行加工。

Method of processing substrate

【技术实现步骤摘要】
加工基板的方法
本专利技术涉及一种加工诸如晶片(例如半导体晶片)的基板的方法，在所述基板的一个面上具有至少一个凹部。
技术介绍
在加工基板(举例来说，如半导体晶片)时，重要的是保护基板的面免受损坏和污染。在将器件(例如，半导体器件)形成在基板的面上时该要求尤其明显。例如，在半导体器件制造工序中，对作为基板的具有一般由多条分割线划分的包括多个器件的器件区域的晶片进行加工，以便将其分割成单个晶粒(die)。该制造工序通常包括用于调整晶片厚度的研磨步骤和沿着分割线切割晶片以获得单个晶粒的切割步骤。该研磨步骤是从晶片的背面执行的，该背面与在上面形成器件区域的晶片正面相反。此外，在晶片的背面上还可以执行其它加工步骤，例如抛光和/或蚀刻。可以从晶片的正面或晶片的背面沿着分割线对晶片进行切割。可以通过将保护膜或保护薄片附着至基板面来提供对该基板面的保护。尤其是，为了在晶片加工期间保护形成在晶片上的器件例如不被碎屑、研磨水或切割水破坏、变形和/或污染，在加工之前，可以将这种保护膜或保护薄片施加至晶片的正面。如果基板的面上存在凹部(例如沟槽、凹槽、切口等)，则对该面的这种保护尤其重要。首先，这种凹部易于受例如可能积累在其中的碎屑或水的污染。其次，凹部的存在可能导致加工(例如研磨、抛光或切割)期间压力的不均匀分布，因此增加了对基板造成机械损坏的风险，例如基板断裂。因此，当对其面上具有一个或更多个凹部的基板进行加工时，使用保护膜或保护薄片是特别重要的。然而，保护膜或保护薄片所附着至的基板面可能被形成在该保护膜或保护薄片上的粘合剂层的粘合力损坏，或者在将所述膜或薄片从基板剥离时可能被粘合剂残留物污染。尤其是，这样的残留物可能残留在形成在基板面上的凹部中。如果将敏感器件(举例来说，如MEMS)形成在施加有保护膜或保护薄片的基板面上，那么该问题尤其成问题。在这种情况下，器件结构可能严重受损。因此，仍然需要一种对其一面上具有凹部的基板进行加工的可靠且有效的方法，该方法使得能够最小化对基板造成污染和损坏的任何风险。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种对其一面上具有凹部的基板进行加工的可靠且有效的方法，该方法使得能够最小化对基板造成污染和损坏的任何风险。该目标通过具有权利要求1的技术特征的基板加工方法来实现。本专利技术的优选实施方式根据从属权利要求得出。本专利技术提供了一种加工基板的方法。该基板具有一个面(例如，正面)和与所述一个面相反的一面(例如，背面)。该基板在所述一个面上或者在与所述一个面相反的面上具有至少一个凹部。所述方法包括：提供保护膜或保护薄片，并将该保护膜或保护薄片施加至该基板的具有至少一个凹部的面上，使得保护膜或保护薄片的正表面的至少中央区域与该基板的具有所述至少一个凹部的面直接接触。此外，所述方法还包括：向保护膜或保护薄片施加压力，使得该保护膜或保护薄片沿着所述至少一个凹部的深度的至少一部分进入该凹部中，并且对该基板的所述一个面和/或该基板的与所述一个面相反的面进行加工。将保护膜施加至基板的具有至少一个凹部的面上，使得该保护膜或保护薄片的正表面的至少中央区域与该基板的具有所述至少一个凹部的面直接接触。因此，在该保护膜的正表面的至少中央区域与该基板的具有所述至少一个凹部的面之间不存在材料，尤其是不存在粘合剂。因此，可以显著降低或者甚至消除例如因粘合剂层的粘合力或基板上的粘合剂残留物而可能污染或损坏该基板的风险。在将保护膜施加至基板的具有至少一个凹部的面上期间和/或之后，向该保护膜施加压力，使得该保护膜沿着所述至少一个凹部的深度的至少一部分进入该凹部中。以这种方式，可以将保护膜附着到基板的具有至少一个凹部的面上。保护膜与基板之间的用来将保护膜保持于其在该基板上的位置的附着力可以通过施加压力来产生。因此，不需要额外的粘合剂材料来将保护膜附着到基板的具有至少一个凹部的面上。尤其是，通过向保护膜施加压力，可以在保护膜与基板之间形成形状匹配(例如正匹配)和/或材料键合(bond)(例如粘合剂键合)。术语“材料键合”和“粘合剂键合”定义了保护膜与基板之间的、因在这两种组分之间起作用的原子力和/或分子力而形成的附着或连接。术语“粘合剂键合”涉及这些原子力和/或分子力的存在，其作用是将保护膜附着或粘附至基板，而不是暗示保护膜与基板之间存在额外的粘合剂。相反，保护膜的正表面的至少中央区域与基板的具有至少一个凹部的面直接接触，如上面已经详细描述的。基板在一个面上或者在与所述一个面相反的面上具有至少一个凹部。基板可以在所述一个面上或者在与所述一个面相反的面上具有多个凹部。所述至少一个凹部例如可以是沟槽、凹槽或切口，例如沿该基板的厚度的一部分延伸的局部切口。所述至少一个凹部可以从基板的平面表面向内延伸，即，从所述表面朝向该基板的主体的方向延伸。向保护膜施加压力，使得该保护膜沿着所述至少一个凹部的深度的至少一部分进入该凹部中。因此，将所述至少一个凹部特别可靠地密封，由此可以安全地防止污染。而且，所述至少一个凹部的侧壁的至少一部分被所述保护膜保护。因此，本专利技术的方法能够可靠且有效地对在其一面上具有凹部的基板进行加工，从而最小化对基板造成污染和损坏的任何风险。可以将保护膜施加至基板的具有至少一个凹部的面上，使得该保护膜的正表面与该基板的具有所述至少一个凹部的面在存在所述至少一个凹部的整个区域直接接触。以这种方式，尤其可以可靠地避免凹部受任何污染，尤其是由于粘合剂残留物而造成的污染。可以在对基板的一个面和/或该基板的与所述一个面相反的面进行加工之前向所述保护膜施加压力。可以通过压力施加装置(例如辊、辊座(rollermount)、压板、印模(stamp)、压膜(membrane)等)将压力施加至保护膜。向保护膜施加压力可以包括以下步骤或由以下步骤组成：在将保护膜施加至基板的具有至少一个凹部的面上期间和/或之后，向该保护膜施加真空。可以向保护膜施加真空，使得该保护膜沿着所述至少一个凹部的深度的至少一部分进入该凹部中。以这种方式，可以特别可靠地确保保护膜沿着所述至少一个凹部的深度的至少一部分进入该凹部中。可以在真空室中将压力施加至保护膜，如下面将进一步详述的。可以在减压气氛中，特别是在真空下，将保护膜施加至和/或附着到基板的具有至少一个凹部的面上。以这种方式，可以特别可靠地确保保护膜沿着所述至少一个凹部的深度的至少一部分进入该凹部中，并且在保护膜与基板之间不存在空隙和/或气泡。因此，避免了在对基板的一个面和/或该基板的与所述一个面相反的面进行加工期间，例如由于这种气泡膨胀(例如，在加热工序中)而造成该基板上的任何应力或应变。例如，可以在真空室中执行将保护膜施加至和/或附着到基板的具有至少一个凹部的面上的一个或多个步骤。尤其是，可以利用真空层压机将保护膜施加至和/或附着到基板的具有至少一个凹部的面上。在这种真空层压机中，将基板按以下状态放置在真空室中的卡盘台上：该基板的不具有所述至少一个凹部的面与卡盘台的上表面接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加工基板(W)的方法，其中，/n所述基板(W)具有一个面(1)和与所述一个面(1)相反的面(6)，/n所述基板(W)在所述一个面(1)上或者在与所述一个面(1)相反的所述面(6)上具有至少一个凹部(7)，并且/n所述方法包括：/n提供保护膜(4)；/n将所述保护膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面上，使得所述保护膜(4)的正表面(4a)的至少中央区域与所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面直接接触；/n向所述保护膜(4)施加压力，使得所述保护膜(4)沿着所述至少一个凹部(7)的深度的至少一部分进入所述凹部(7)中；以及/n对所述基板(W)的所述一个面(1)和/或所述基板(W)的与所述一个面(1)相反的所述面(6)进行加工。/n

【技术特征摘要】
20180824 DE 102018214337.41.一种加工基板(W)的方法，其中，
所述基板(W)具有一个面(1)和与所述一个面(1)相反的面(6)，
所述基板(W)在所述一个面(1)上或者在与所述一个面(1)相反的所述面(6)上具有至少一个凹部(7)，并且
所述方法包括：
提供保护膜(4)；
将所述保护膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面上，使得所述保护膜(4)的正表面(4a)的至少中央区域与所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面直接接触；
向所述保护膜(4)施加压力，使得所述保护膜(4)沿着所述至少一个凹部(7)的深度的至少一部分进入所述凹部(7)中；以及
对所述基板(W)的所述一个面(1)和/或所述基板(W)的与所述一个面(1)相反的所述面(6)进行加工。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，向所述保护膜(4)施加所述压力包括以下步骤或由以下步骤组成：在将所述保护膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面上期间和/或之后，向所述保护膜(4)施加真空。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基板(W)是在所述一个面(1)上具有包括多个器件(27)的器件区域(2)的晶片。


4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述基板(W)的所述一个面(1)上形成至少一条分割线(11)，并且所述至少一个凹部(7)沿所述至少一条分割线(11)延伸。


5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，该方法还包括：在将所述保护膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面上期间和/或之后，对所述保护膜(4)进行加热。


6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，向所述保护膜(4)施加所述压力，使得所述保护膜(4)进入所述至少一个凹部(7)的深度为3μm至500μm，优选为5μm至300μm，尤其是5μm至50μm。


7....

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔·海因茨·普利瓦西尔，长冈健辅，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP