半导体存储装置制造方法及图纸

技术编号:23402845 阅读:28 留言:0更新日期:2020-02-22 14:50
实施方式的半导体存储装置具备:第1电极及第2电极,在第1方向上对向配置;电阻变化膜,设置在所述第1电极与第2电极之间,且包含选自锗、锑及碲中的至少1种元素;及第1层,设置在电阻变化膜的与第1方向交叉的第2方向的侧面,且包含构成电阻变化膜的至少1种元素以及选自氮、碳、硼及氧中的至少1种元素。

Semiconductor storage device

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置相关申请案本申请案享有以日本专利申请案2018-150327号(申请日:2018年8月9日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
作为存储大容量数据的半导体存储装置,已知有使存储单元的电阻值发生变化以存储信息的电阻变化型的半导体存储装置。
技术实现思路
实施方式提供一种提升耐久性的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备:第1电极及第2电极,在第1方向上对向配置;电阻变化膜,设置在所述第1电极与第2电极之间,且包含选自锗、锑及碲中的至少1种元素;及第1层,设置在所述电阻变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面,且包含构成所述电阻变化膜的至少1种元素以及选自氮、碳、硼及氧中的至少1种元素。另一实施方式的半导体存储装置具备:第1电极及第2电极,在第1方向上对向配置;电阻变化膜,设置在所述第1电极与第2电极之间,且包含选自锗、锑及碲中的至少1种元素;及第1层,设置在所述电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置,具备:/n第1电极及第2电极,在第1方向上对向配置;/n电阻变化膜,设置在所述第1电极与第2电极之间,且包含选自锗、锑及碲中的至少1种元素;及/n第1层,设置在所述电阻变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面,且包含构成所述电阻变化膜的至少1种元素以及选自氮、碳、硼及氧中的至少1种元素。/n

【技术特征摘要】
20180809 JP 2018-1503271.一种半导体存储装置,具备:
第1电极及第2电极,在第1方向上对向配置;
电阻变化膜,设置在所述第1电极与第2电极之间,且包含选自锗、锑及碲中的至少1种元素;及
第1层,设置在所述电阻变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面,且包含构成所述电阻变化膜的至少1种元素以及选自氮、碳、硼及氧中的至少1种元素。


2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中所述第1层包含选自硫族元素、锗及锑中的至少1种元素以及选自氮、碳、硼及氧中的至少1种元素。


3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述电阻变化膜为硫化物膜。


4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述电阻变化膜为相变膜。


5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述第1层包含构成所述相变膜的至少1种元素,无论所述电阻变化膜的状态如何都为固化的非晶状态。


6.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
在所述电阻变化膜的与所述第1电极及第2电极中的至少一个相接的面上还具备第2层。


7.根据权利要求6所述的半导体存储装置,其中
所述第2层包含构成所述硫化物膜的至少1种元素以及选自氮、碳、硼及氧中的至少1种元素。


8.根据权利要求6所述的半导体存储装置,其中
所述第2层包含构成所述相变膜的至少1种元素,无论所述电阻变化膜的状态如何均为固化的非晶状态。


9.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
还具备设置在所述第1层的所述第2方向的侧面的绝缘层。


10.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
还具备相对于所述电阻变化膜介隔所述第1电极或所述第2电极配置在所述第1方向的选择器。


11.一种半导体存储装置,具备:
第1电极及第2电极,在第1方向上对向配置;
电阻变化膜,设置在所述第1电极与第2电极之间,且包含选自锗、锑及碲中的至少1种元素;及
第1层,设置在所述电阻变化膜的与所述第1电极及第2电极中的至少一个相接的面上,且包含构成所述电阻变化膜的至少1种元素以及选自氮、碳、硼及氧中的至少1种元素。


12.根据权利要求11所述的半导体存储装置,其中所述第1层包含选自硫族元素、锗及锑中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员:山川晃司
申请(专利权)人:东芝存储器株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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