半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式的半导体存储装置包含：第1电极及第2电极，在第1方向上对向配置；相变化膜，设置在这些第1电极及第2电极之间；第1膜，设置在所述相变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面且包含绝缘体；及第2膜，隔着所述第1膜设置在所述相变化膜的所述第2方向的侧面且包含含碳的导电体。

Semiconductor storage device

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置[相关申请]本申请享有以日本专利申请2018-147332号(申请日：2018年8月6日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
作为存储大容量数据的半导体存储装置，已知使存储器单元的电阻值变化来存储信息的电阻变化型的半导体存储装置。其中相变化存储器(PCM：PhaseChangeMemory)在存储器单元中使用相变化膜，利用相变化膜的电阻值在结晶状态与非晶质状态下数位不同来存储信息。
技术实现思路
实施方式提供一种减少了热对邻接单元的影响的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置包含：第1电极及第2电极，在第1方向上对向配置；相变化膜，设置在这些第1电极及第2电极之间；第1膜，设置在所述相变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面且包含绝缘体；及第2膜，隔着所述第1膜设置在所述相变化膜的所述第2方向的侧面且包含含碳的导电体。另一实施方式的半导体存储装置包含：第1电极及第2电极，在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，包含：/n第1电极及第2电极，在第1方向上对向配置；/n相变化膜，设置在这些第1电极及第2电极之间；/n第1膜，设置在所述相变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面且包含绝缘体；及/n第2膜，隔着所述第1膜设置在所述相变化膜的所述第2方向的侧面且包含含碳的导电体。/n

【技术特征摘要】
20180806 JP 2018-1473321.一种半导体存储装置，包含：
第1电极及第2电极，在第1方向上对向配置；
相变化膜，设置在这些第1电极及第2电极之间；
第1膜，设置在所述相变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面且包含绝缘体；及
第2膜，隔着所述第1膜设置在所述相变化膜的所述第2方向的侧面且包含含碳的导电体。


2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
所述第1膜的面内方向的导热度大于膜厚方向的导热度。


3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
所述第1膜含碳。


4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中
所述第1膜含类钻碳。


5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
所述第2膜含石墨。


6.一种半导体存储装置，包含：
第1电极及第2电极，在第1方向上对向配置；
相变化膜，设置在这些第1电极及第2电极之间；
第1膜，设置在所述相变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面；及
第2膜，隔着所述第1膜设置在所述相变化膜的所述第2方向的侧面；
所述第1膜包含绝缘体，
所述第2膜包含面内方向的导热度大于膜厚方向的导热度的导电体。


7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中
所述第1膜含碳。


8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中
所述第1膜含类钻碳。


9.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中
所述第2膜含碳。


10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中
所述第2膜含石墨。


11.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中
所述第2膜是金属膜或金属化合物膜与绝缘膜的积层体。


12.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其包括第1配线及第2配线，所述第1配线及第2配线之间介置所述第1电极、所述相变化膜及所述第2电极而形成电流路径，...

【专利技术属性】
技术研发人员：山川晃司，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP