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实施方式的半导体存储装置包含：第1电极及第2电极，在第1方向上对向配置；相变化膜，设置在这些第1电极及第2电极之间；第1膜，设置在所述相变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面且包含绝缘体；及第2膜，隔着所述第1膜设置在所述相变化膜的所述...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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