【技术实现步骤摘要】
一种巨磁电阻薄膜及其制备方法
本专利技术是关于化学领域，特别是关于一种巨磁电阻薄膜及其制备方法。
技术介绍
在通有电流的金属或半导体上施加磁场时，其电阻值将发生明显变化，这种现象称为磁致电阻效应，也称磁电阻效应(MR)。现有技术CN104538147A公开了一种各向异性磁电阻薄膜的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一氮化硅薄膜基片并进行刻蚀预处理。步骤二、进行Ni81Fe19薄膜的成膜，成膜工艺包括多步沉积和刻蚀工艺。步骤三、进行氮化钽薄膜的成膜。步骤四、进行退火处理。现有技术CN101710525B公开了一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本专利技术设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高的磁场灵敏度。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种巨磁电阻薄膜及其制备方法，其能够克服现有技术的缺点。为实现上述目的，本专利技术提供了一种巨磁电阻薄膜，该巨磁电阻薄膜是由如下方法制备的：提供玻璃基片；利用磁控溅射法在玻璃基片上镀敷MgO层；利用磁控溅射法在MgO层上镀敷第一NixFe100-x层，其中，70<x<80；利用磁控溅射法在第一NixFe100-x层上...
【技术保护点】
1.一种巨磁电阻薄膜，其特征在于：所述巨磁电阻薄膜是由如下方法制备的：/n提供玻璃基片；/n利用磁控溅射法在所述玻璃基片上镀敷MgO层；/n利用磁控溅射法在所述MgO层上镀敷第一Ni
【技术特征摘要】
1.一种巨磁电阻薄膜，其特征在于：所述巨磁电阻薄膜是由如下方法制备的：
提供玻璃基片；
利用磁控溅射法在所述玻璃基片上镀敷MgO层；
利用磁控溅射法在所述MgO层上镀敷第一NixFe100-x层，其中，70<x<80；
利用磁控溅射法在所述第一NixFe100-x层上镀敷FexMn100-x层，其中，10<x<15；
利用磁控溅射法在所述FexMn100-x层上镀敷第二NixFe100-x层，其中，80<x<90；
利用磁控溅射法在所述第二NixFe100-x层上镀敷NixMn100-x层，其中，20<x<30；
利用磁控溅射法在所述NixMn100-x层上镀敷La0.7(Ba0.3-xCax)MnO3，其中，0.02<x<0.04。
2.如权利要求1所述的巨磁电阻薄膜，其特征在于：其中，所述MgO层的厚度为20-30nm，所述利用磁控溅射法在所述玻璃基片上镀敷MgO层的具体工艺为：溅射靶材为MgO靶材，溅射电源选用脉冲电源，脉冲频率为50-100kHz，溅射功率为100-150W，溅射电压为100-200V，氩气流量为50-70sccm，基片温度为150-200℃。
3.如权利要求2所述的巨磁电阻薄膜，其特征在于：其中，所述第一NixFe100-x层厚度为30-40nm，所述利用磁控溅射法在所述MgO层上镀敷第一NixFe100-x层具体工艺为：溅射靶材为NixFe100-x靶材，其中，70<x<80，溅射电源选用脉冲电源，脉冲频率为60-80kHz，溅射功率为300-400W，溅射电压为100-200V，氩气流量为55-75sccm，基片温度为150-200℃。
4.如权利要求3所述的巨磁电阻薄膜，其特征在于：其中，所述FexMn100-x层厚度为10-20nm，所述利用磁控溅射法在所述第一NixFe100-x层上镀敷FexMn100-x层具体工艺为：溅射靶材为FexMn100-x靶材，其中，10<x<15，溅射电源选用脉冲电源，脉冲频率为80-120kHz，溅射功率为300-400W，溅射电压为300-400V，氩气流量为65-80sccm，基片温度为250-350℃。
5.如权利要求4所述的巨磁电阻薄膜，其特征在于：其中，所述第二NixFe100-x层厚度为25-35nm，所述利用磁控溅射法在所述FexMn100-x层上镀敷第二NixFe100-x层具体工艺为：溅射靶材为NixFe100-x靶材，其中，80<x<90，溅射电源选用脉冲电源，脉冲频率为100-130kHz，溅射功率为200-250W，溅射电压为100-200V，氩气流量为65-80sccm，基片温度为200-300℃。
6.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵明，凡广生，李领川，孙学习，刘艳丽，
申请(专利权)人：郑州工程技术学院，
类型：发明
国别省市：河南;41
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