一种改善阻变存储器一致性的方法及其阻变存储器技术

本发明专利技术公开了一种利用重离子微孔膜改善阻变存储器一致性的实现方法，是将重离子微孔膜作为控制层嵌入阻变存储层和导电电极之间。在阻变存储器件发生电阻转变的过程中，对器件施加电压以后，在电场的作用下，活性金属电极发生氧化还原反应在阻变存储层中所形成金属导电细丝的形成与破灭时引起电阻转变的主要原因。由于导电细丝的形成与破灭是随机的，因此阻变参数具有很大的离散性，影响阻变存储器的一致性。

A method to improve the consistency of resistive memory and its resistive memory

【技术实现步骤摘要】
一种改善阻变存储器一致性的方法及其阻变存储器
本专利技术属于微电子技术以及存储器器件
，具体涉及一种改善阻变存储器一致性的方法及其阻变存储器。
技术介绍
随着手机、笔记本电脑等可携式个人设备的逐渐流行，移动智能终端、云计算、物联网、大数据、5G网络等新信息技术的快速发展与普及，非挥发性存储器在半导体行业中扮演着越来越重要的角色。目前市场主流的非挥发性存储器是基于电荷存储机制的浮栅存储器（Flash）。然而，随着半导体工艺技术节点的不断提升，Flash存储器在器件尺寸不断缩小化过程中存在操作电压大、操作速度慢、耐久力不够好以及记忆时间不够长等缺点，这在很大程度上限制了其在市场以及高科技领域的广泛应用。因此，开发新一代的存储器技术就显得尤为迫切。基于电脉冲触发可逆电阻转变效应的阻变存储器作为一种全新的存储概念，是以薄膜材料的电阻可在高阻态（HRS）和低阻态（LRS）之间实现可逆转换为基本工作原理并作为记忆的方式。在适当电压的作用下，器件的电阻会在高阻态和低阻态之间相互转换，从而能够实现‘0’和‘1’的存储。由于其具有结构简单、制备工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善阻变存储器一致性的方法，包括上电极和下电极，所述上电极与下电极之间设有阻变存储层，其特征在于：在阻变存储层与上电极之间嵌入一层重离子微孔膜的控制层。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善阻变存储器一致性的方法，包括上电极和下电极，所述上电极与下电极之间设有阻变存储层，其特征在于：在阻变存储层与上电极之间嵌入一层重离子微孔膜的控制层。


2.使用根据权利要求1所述的一种改善阻变存储器一致性的方法的阻变存储器，包括衬底，在所述衬底上设置下电极，所述下电极上设置阻变存储层，其特征在于：所述阻变存储层（203）由金属氧化物构成，所述阻变存储层（203）上设置控制层（204），所述控制层（204）由重离子微孔膜构成，所述控制层（204）上设置上电极（205）。


3.根据权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于：所述重离子微孔膜的控制层（204）由聚对苯二甲酸乙二醇酯PET或聚碳酸酯PC中的其中一种制成。


4.根据权利要求3所述的阻变存储器，其特征在于：所述控制层（204）的厚度为10-200nm。


5.根据权利要求3或4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅丽萍，范小龙，李颖弢，吴泽伟，宋小强，李晓燕，
申请(专利权)人：兰州大学，
类型：发明
国别省市：甘肃;62