相变存储器结构、存储器器件及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供一种相变存储器器件，包含具有安置在相变元件与介电层之间的吸气剂金属层的相变存储器结构。相变存储器结构包含介电层、底部电极、通孔、相变元件以及吸气剂金属层。介电层安置在衬底上方。底部电极上覆于介电层。通孔从介电层的底部表面延伸穿过介电层到介电层的顶部表面。相变元件上覆于底部电极。吸气剂金属层安置在介电层与相变元件之间。

Phase change memory structure, memory device and its formation method

【技术实现步骤摘要】
相变存储器结构、存储器器件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及一种相变存储器结构、存储器器件及其形成方法。
技术介绍
闪速存储器是广泛使用的非易失性存储器类型。然而，预期闪速存储器会遇到缩放困难(scalingdifficulties)。因此，正在研究非易失性存储器的替代类型。这些非易失性存储器的替代类型之一是相变存储器(phasechangememory；PCM)。PCM是采用相变元件的相来表示数据单位的非易失性存储器的类型。PCM具有快速读取和写入时间、非破坏性读取以及高可缩放性。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供一种相变存储器结构，其特征在于，包括：介电层，位于衬底上方；通孔，延伸穿过所述介电层；底部电极，上覆于所述介电层以及所述通孔，且进一步电性耦合到所述通孔；相变元件，上覆于所述底部电极；以及吸气剂金属层，位于所述介电层与所述相变元件之间。此外，本专利技术的其他实施例提供一种存储器器件，其特征在于，包括：绝缘体层，位于衬底上方；相变元件，位于所述绝缘体层上方；以及加热器，位于所述绝缘体层与所述相变元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相变存储器结构，其特征在于，包括：/n介电层，位于衬底上方；/n通孔，延伸穿过所述介电层；/n底部电极，上覆于所述介电层以及所述通孔，且进一步电性耦合到所述通孔；/n相变元件，上覆于所述底部电极；以及/n吸气剂金属层，位于所述介电层与所述相变元件之间。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,373;20181203 US 16/207,5061.一种相变存储器结构，其特征在于，包括：
介电层，位于衬底上方；
通孔，延伸穿过所述介电层；
底部电极，上覆于所述介电层以及所述通孔，且进一步电性耦合到所述通孔；
相变元件，上覆于所述底部电极；以及
吸气剂金属层，位于所述介电层与所述相变元件之间。


2.根据权利要求1所述的相变存储器结构，其特征在于，所述吸气剂金属层由吸收氢气的材料构成。


3.根据权利要求1所述的相变存储器结构，其特征在于，所述吸气剂金属层在所述介电层的顶部表面与所述底部电极的底部表面之间或在所述底部电极的顶部表面与所述相变元件的底部表面之间。


4.根据权利要求1所述的相变存储器结构，其特征在于，所述相变存储器结构进一步包括：
顶部电极，上覆于所述相变元件；且
其中所述顶部电极以及所述底部电极由第一材料构成且所述吸气剂金属层由第二材料构成，其中所述第一材料与所述第二材料不同。


5.一种存储器器件，其特征在于，包括：
绝缘体层，位于衬底上方；
相变元件，位于所述绝缘体层上方；以及
加热器，位于所述绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：金海光，梁晋玮，林杏莲，江法伸，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71