集成芯片及其形成方法技术

在一些实施例中，本发明专利技术涉及集成芯片。该集成芯片包括磁阻随机存取存储器(MRAM)器件，该MRAM器件由设置在衬底上方的介电结构围绕。MRAM器件包括设置在底部电极和顶部电极之间的磁隧道结。底部电极通孔将底部电极耦合到下部互连线。顶部电极通孔将顶部电极耦合到上部互连线。顶部电极通孔的底面具有第一宽度，该第一宽度小于底部电极通孔的底面的第二宽度。本发明专利技术的实施例涉及集成芯片的形成方法。

Integrated chip and its formation method

【技术实现步骤摘要】
集成芯片及其形成方法
本专利技术的实施例涉及集成芯片及其形成方法。
技术介绍
许多现代电子器件包含配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在供电时存储数据，而非易失性存储器能够在断电时存储数据。磁随机存取存储器(MRAM)器件是下一代非易失性存储器技术的有前景的候选。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种集成芯片，包括：磁阻随机存取存储器(MRAM)器件，由设置在衬底上方的介电结构围绕，其中，所述磁阻随机存取存储器器件包括设置在底部电极和顶部电极之间的磁隧道结；底部电极通孔，将所述底部电极耦合到下部互连线；以及顶部电极通孔，将所述顶部电极耦合到上部互连线，其中，所述顶部电极通孔的底面具有第一宽度，所述第一宽度小于所述底部电极通孔的底面的第二宽度。本专利技术的另一实施例提供了一种集成芯片，包括：底部电极，布置在衬底上方；磁隧道结，设置在所述底部电极上方；顶部电极，设置在所述磁隧道结上方；顶部电极通孔，设置在所述顶部电极上，其中，所述顶部电极通孔沿着垂直于所述衬底的上表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，包括：/n磁阻随机存取存储器(MRAM)器件，由设置在衬底上方的介电结构围绕，其中，所述磁阻随机存取存储器器件包括设置在底部电极和顶部电极之间的磁隧道结；/n底部电极通孔，将所述底部电极耦合到下部互连线；以及/n顶部电极通孔，将所述顶部电极耦合到上部互连线，其中，所述顶部电极通孔的底面具有第一宽度，所述第一宽度小于所述底部电极通孔的底面的第二宽度。/n

【技术特征摘要】
20180724 US 62/702,581;20190520 US 16/416,5551.一种集成芯片，包括：
磁阻随机存取存储器(MRAM)器件，由设置在衬底上方的介电结构围绕，其中，所述磁阻随机存取存储器器件包括设置在底部电极和顶部电极之间的磁隧道结；
底部电极通孔，将所述底部电极耦合到下部互连线；以及
顶部电极通孔，将所述顶部电极耦合到上部互连线，其中，所述顶部电极通孔的底面具有第一宽度，所述第一宽度小于所述底部电极通孔的底面的第二宽度。


2.根据权利要求1所述的集成芯片，
其中，第一线与所述顶部电极通孔的第一最外侧壁相切，并且第二线与所述顶部电极通孔的相对的第二最外侧壁相切；并且
其中，所述第一线相对于水平面以第一角度定向，所述水平面平行于所述衬底的上表面，并且所述第二线相对于所述水平面以第二角度定向，所述第二角度小于所述第一角度。


3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述顶部电极通孔的底面具有非零斜率。


4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述顶部电极通孔的底面具有椭圆形状。


5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，当沿着所述顶部电极通孔的截面图观察时，所述顶部电极通孔相对于等分所述顶部电极通孔的线是不对称的。


6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述顶部电极通孔具有沿着所述顶部电极通孔的截面图线性的第一侧壁和沿着所述截面图弯曲的相对侧壁。


7.根据权利要求1所述的集成芯片，
其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：古明哲，庄学理，王宏烵，涂淳琮，蔡俊佑，黄胜煌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71