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在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。该集成芯片包括磁阻随机存取存储器(MRAM)器件，该MRAM器件由设置在衬底上方的介电结构围绕。MRAM器件包括设置在底部电极和顶部电极之间的磁隧道结。底部电极通孔将底部电极耦合到下部互连线。顶部电极通孔...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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