【技术实现步骤摘要】
一种基于MnZn共掺杂BiFeO3薄膜的阻变存储器及其制备方法
本专利技术涉及纳米材料应用领域及微电子
，更加具体地说，具体涉及一种基于Mn/Zn共掺杂于BiFeO3层结构的阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
当今虽然对微电子产品的巨大需求推进了存储技术的快速的发展，但传统的微电子技术正在遭遇物理和技术上的限制。由金属-阻变转换层-金属堆栈三明治结构构成的阻变存储器(RRAM)，由于其具有简单的结构、快速的写入/擦除速度、高的扩展性和与现代CMOS工艺完全互补兼容等特点，而极有可能成为下一代非易失性存储器的替代者同时已经引起了广泛的关注。通常根据开关电压极性的不同，阻变存储器可以分为两种类型:开关极性相同的单极阻变器件，开关极性不同的双极阻变器件。双极阻变器件由于其相比于单极阻变器件有更快的开关速度而更具吸引力。单极阻变器件大多出现在二元金属氧化物中，而双极阻变器件多出现在钙钛矿氧化物和金属硫系化合中。通常这些材料通过外延生长、溅射、原子层沉积和热氧化的方法得到【KimS，ChoiYK.ResistiveSwitchi...
【技术保护点】
1.一种基于MnZn共掺杂BiFeO
【技术特征摘要】
1.一种基于MnZn共掺杂BiFeO3薄膜的阻变存储器，其特征在于，自下而上由下电极、阻变层和上电极依次叠加设置而成，阻变层为MnZn共掺杂BiFeO3薄膜，掺杂形式为原子类型，在MnZn共掺杂BiFeO3薄膜中，掺杂金属为Mn和Zn，掺杂金属Mn和Zn的摩尔数/(金属锰、锌和铁的摩尔数之和)为1—10％，掺杂金属Mn和Zn的摩尔比为(1—3)：(2—4)。
2.根据权利要求1所述的一种基于MnZn共掺杂BiFeO3薄膜的阻变存储器，其特征在于，掺杂金属Mn和Zn的摩尔数/(金属锰、锌和铁的摩尔数之和)为1—5％。
3.根据权利要求1或者2所述的一种基于MnZn共掺杂BiFeO3薄膜的阻变存储器，其特征在于，下电极厚度为50-200nm、阻变层厚度为1-100nm、上电极厚度为50-200nm。
4.根据权利要求3所述的一种基于MnZn共掺杂BiFeO3薄膜的阻变存储器，其特征在于，下电极厚度为100-200nm、阻变层厚度为50-80nm、上电极厚度为100-200nm。
5.根据权利要求1或者2所述的一种基于MnZn共掺杂BiFeO3薄膜的阻变存储器，其特征在于，下电极为导电金属、金属合金、导电金属化合物或其他导电材料中的一种，上电极为导电金属、金属合金、导电金属化合物或其他导电材料中的一种；导电金属为Ta、Cu、Ag、W、Ni、Al或Pt的一种；金属合金为Pt/Ti、Ti/Ta、Cu/Ti、Cu/Au、Cu/Al或Al/Zr合金的一种；导电金属化合物为TiN或ITO；其他导电材料如AZO、FTO、石墨烯或者纳米银线的一种。
6.一种基于MnZn共掺杂BiFeO3薄膜的阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射方法进行制成，按照下述步骤进行制备：
步骤1，选择硅为衬底，利用磁控溅射法在硅衬底上设置二氧化钛层作为粘附层；
步骤2，利用磁控溅射法在硅衬底的粘附层上设置下电极，即将作为下电极的材料作为靶材料放在靶台上，对硅衬底进行磁控溅...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨正春，李珍，臧传来，吴家刚，周宝增，赵金石，张楷亮，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：天津;12
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