【技术实现步骤摘要】
相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法
本专利技术属于相变存储材料领域，具体涉及一种相变合金材料及其制备方法，以及包含该相变合金材料的相变存储器。
技术介绍
在大数据时代，存储器的地位越来越突出，不论是信息数据的存储还是信息数据的传输，都对传统存储器提出了新的挑战，新型存储器的研发也成为了技术革新的重要一环。相变存储器是一种优秀的非易失性存储器件，具有读写速度快，容量大且生产成本低等特点，是目前最有希望的下一代存储器件之一。相变存储器主要是利用了相变材料晶态和非晶态之间的电阻差异来实现信息存储的功能，在使用过程中，只需要控制电流脉冲的大小和时间就可以实现擦写的功能。对于相变存储器而言，其性能很大程度上依赖于相变材料的性质，目前主流的相变材料(Ge-Sb-Te基相变材料)已经可以实现稳定的晶态和非晶态之间的可逆转换，并可保证足够的电阻差异和快的相变速度，在常温下也具有较好的稳定性。不过，对于一些极端的环境，例如航空航天的应用环境，就要求相变材料要有更好的非晶态热稳定性，也就是需要有更高的结晶温度和数据保持温度...
【技术保护点】
1.一种相变合金材料，其特征在于，所述相变合金材料为由Cu，Sb元素组成的化学通式为Cu
【技术特征摘要】
1.一种相变合金材料，其特征在于，所述相变合金材料为由Cu，Sb元素组成的化学通式为CuxSb100-x的材料；其中，x为原子个数百分比，且0＜x≤40。
2.根据权利要求1所述的相变合金材料，其中，x的取值处于10～30之间。
3.根据权利要求1或2所述的相变合金材料，其中，所述相变合金材料可采用磁控溅射法、电子束蒸发法、气相沉积法或者原子层沉积法制备而成。
4.一种相变存储器，其利用权利要求1～3中任一项所述的相变合金材料来作为相变存储材料，其特征在于，所述相变合金材料在所述相变存储器中为厚度介于20～200nm之间的相变薄膜材料。
5.一种相变合金材料的制备方法，用于权利要求4中所述相变薄膜材料的制备，其采用磁控溅射法制备，步骤如下，
S1：根据所述相变薄膜材料的尺寸选取相应尺寸的溅射基片，并对其进行清洗；
S2：准备一定尺寸且原子百分比纯度不低于99.99％的Sb靶，并在该Sb靶的表面刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐明，徐萌，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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