In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了In‑Sn‑Sb相变材料、相变存储器及In‑Sn‑Sb相变材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述In‑Sn‑Sb相变材料为由In，Sb，Sn元素组成的化学通式为In

【技术实现步骤摘要】
In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法
本专利技术属于相变存储材料领域，具体涉及一种In-Sn-Sb相变材料及其制备方法，以及In-Sn-Sb相变材料在相变存储器中的应用。
技术介绍
在大数据时代，存储器的地位越来越突出，不论是信息数据的存储还是信息数据的传输，都对传统存储器提出了新的挑战，新型存储器的研发也成为了技术革新的重要一环。相变存储器是一种优秀的非易失性存储器件，具有读写速度快，容量大且生产成本低等特点，是目前最有希望的下一代存储器件之一。相变存储器主要是利用了相变材料晶态和非晶态之间的电阻差异来实现信息存储的功能，在使用过程中，只需要控制电流脉冲的大小和时间就可以实现擦写的功能，同时一个更小的电流脉冲便可以读出存储的信息。对于相变存储器而言，其性能很大程度上依赖于相变材料的性质，目前主流的相变材料(Ge-Sb-Te基相变材料)已经可以实现稳定的晶态和非晶态之间的可逆转换，并可保证足够的电阻差异和快的相变速度，在常温下也具有较好的稳定性。不过，对于一些极端的环境，例如航空航天的应用环境本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种In-Sn-Sb相变材料，其特征在于，所述In-Sn-Sb相变材料为In，Sb，Sn元素组成的化学通式为In

【技术特征摘要】
1.一种In-Sn-Sb相变材料，其特征在于，所述In-Sn-Sb相变材料为In，Sb，Sn元素组成的化学通式为InxSnySb100-x-y的材料；其中，x，y分别为原子个数百分比，且0＜x＜50，0＜y＜50，0＜x+y≤50。


2.根据权利要求1所述的In-Sn-Sb相变材料，其中，x，y值的取值范围为：10≤x≤30，10≤y≤20，即20≤x+y≤50。


3.根据权利要求1或2所述的In-Sn-Sb相变材料，其中，所述In-Sn-Sb相变材料可采用磁控共溅射法、电子束蒸发法、气相沉积法或者原子层沉积法制备而成。


4.一种相变存储器，其利用权利要求1～3中任一项所述的In-Sn-Sb相变材料作为相变存储材料，其特征在于，所述In-Sn-Sb相变材料在所述相变存储器中为厚度介于20～200nm之间的相变薄膜材料。


5.根据权利要求4所述的相变存储器，其中，所述相变薄膜材料为In30Sn20Sb50薄膜材料、In20Sn20Sb60薄膜材料、In10Sn20Sb70薄膜材料或者In30Sn10Sb60薄膜材料。


6.一种In-Sn-Sb相变材料的制备方法，用于权利要求4或5中所述相变薄膜材料的制备，其采用磁控共溅射法制备，步骤如下，
S1：根据所述相变薄膜材料的尺寸选取相应尺寸的溅射基片，并对其进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明，徐萌，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42